[发明专利]一种硅片的预处理方法、硅片和太阳能电池片在审
| 申请号： | 201510636278.2 | 申请日： | 2015-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN105161575A | 公开（公告）日： | 2015-12-16 |
| 发明（设计）人： | 高文秀;李帅;赵百通 | 申请（专利权）人： | 江苏盎华光伏工程技术研究中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 北京中恒高博知识产权代理有限公司 11249 | 代理人： | 姜万林 |
| 地址： | 214000 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 预处理 方法 太阳能电池 | ||
1.一种硅片的预处理方法，其特征在于，包括：
在硅片表面形成均匀规则分布的多个坑洞。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在硅片表面形成均匀规则分布的多个坑洞，包括：
采用刻蚀的方法，在硅片表面形成均匀规则分布的多个坑洞；
形成所述多个坑洞后，去除硅片表面因刻蚀产生的损伤层。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，采用刻蚀的方法，在硅片表面形成均匀规则分布的多个坑洞，包括：
采用激光对硅片上表面和/或下表面进行刻蚀，在硅片上表面和/或下表面形成等间距阵列分布的所述多个坑洞；和/或，
采用等离子体对硅片上表面和/或下表面进行刻蚀，在硅片上表面和/或下表面形成均匀规则分布的多个坑洞。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，采用等离子体对硅片上表面和/或下表面进行刻蚀，包括：
采用等离子体，通过在硅片上表面和/或下表面覆盖刻有规则排布孔洞的掩膜，对硅片上表面和/或下表面进行选择性刻蚀。
5.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述等离子体的气氛采用SF6和/或CF4和/或O2和/或Cl2和/或Ar气。
6.根据权利要求2-5之一所述的方法，其特征在于，形成所述多个坑洞后，去除硅片表面因刻蚀产生的损伤层，包括：
采用酸溶液或碱溶液对硅片硅片上表面和/或下表面进行腐蚀，去除硅片表面因刻蚀产生的损伤层。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，采用酸溶液或碱溶液对硅片硅片上表面和/或下表面进行腐蚀，包括：
采用按预设浓度稀释的酸溶液或碱溶液，在预设温度条件和时间条件下，对硅片硅片上表面和/或下表面进行湿法腐蚀；所述湿法腐蚀的腐蚀深度为1~5μm。
8.根据权利要求1-7之一所述的方法，其特征在于，所述硅片的厚度为180~250μm，和/或，每个坑洞的形状为半球形，和/或，每个坑洞的深度为10~50μm。
9.一种硅片，其特征在于，该硅片由权利要求1-8所述的方法获得。
10.一种太阳能电池片，其特征在于，该电池采用由权利要求1-8所述的方法获得的硅片和/或权利要求9所述的硅片制得。
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