[发明专利]多层结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201510635868.3 | 申请日： | 2008-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN105185780B | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 奥利维尔·泰松;弗朗索斯·利考内克 | 申请（专利权）人： | 村田整合被动式解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L49/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 陈炜 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多层 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种多层结构(400)，包括：
含有沟槽(401)的图形化层结构；
第一电极(404)；以及
由所述图形化层结构的基片(402)形成的第二电极；
其中，所述图形化层结构包括形成所述沟槽(401)的FASS曲线结构，以及
其中，所述第一电极(404)至少部分形成于形成所述沟槽(401)的FASS曲线结构中。
2.根据权利要求1所述的多层结构(400)，其中，所述多层结构构成槽式电容器(400)或电池的一部分。
3.根据权利要求1所述的多层结构(400)，其中，所述基片(402)含有导电材料。
4.根据权利要求1所述的多层结构(400)，其中，所述FASS曲线结构的特征在于选自包括下述曲线的组中：
希尔伯特曲线，皮亚诺曲线，高斯帕曲线，塞平斯基曲线，
E-曲线，以及Z-曲线。
5.根据权利要求1所述的多层结构(400)，其中，所述FASS曲线结构的特征在于基于正八边形的皮亚诺曲线。
6.根据权利要求1所述的多层结构(400)，其特征在于，所述第一电极(404)由形成于所述图形化层结构上的连续层形成。
7.一种用于制造多层结构(400)的方法，所述方法包括：
提供基片(402)；
在基片(402)中以形成FASS曲线结构的方式形成沟槽(401)；
以及至少部分地在所述FASS曲线结构中形成所述多层结构(400)的第一电极(404)，
其中，所述基片(402)形成所述多层结构(400)的第二电极。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述多层结构构成槽式电容器或电池的一部分。
9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述基片(402)含有导电材料。
10.根据权利要求7所述的方法，其中，所述FASS曲线结构的特征在于选自包括下述曲线的组中：
希尔伯特曲线，皮亚诺曲线，高斯帕曲线，塞平斯基曲线，
E-曲线，以及Z-曲线。
11.根据权利要求7所述的方法，其中，所述FASS曲线结构的特征在于基于正八边形的皮亚诺曲线。
12.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一电极(404)由形成于图形化层结构上的连续层形成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于村田整合被动式解决方案公司，未经村田整合被动式解决方案公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510635868.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
