[发明专利]一种表面局部被银的钼电极在审
申请号: | 201510635758.7 | 申请日: | 2015-09-30 |
公开(公告)号: | CN105161162A | 公开(公告)日: | 2015-12-16 |
发明(设计)人: | 赵桂林;徐善理 | 申请(专利权)人: | 福建省南平市三金电子有限公司 |
主分类号: | H01B5/00 | 分类号: | H01B5/00;H01B1/02;H01B13/00;C23C14/16;C23C14/58 |
代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人: | 蔡学俊 |
地址: | 353000 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 表面 局部 电极 | ||
技术领域
本发明涉及电路元件,尤其是一种表面局部被银的钼电极。
背景技术
钼电极高温强度高,使用寿命长,有较高的使用温度和表面电流强度,基于这些优点,它通常应用于日用玻璃、光学玻璃、保温材料、玻璃纤维、稀土工业等领域,但由于钼在较高的温度下其抗氧化性能较差,影响了其焊接性能,当钼电极通过焊接与外部电子电件连接时,如果在电极的焊接结构表面覆以其它易焊材料,将能改善其焊接性能。
发明内容
本发明提出一种表面局部被银的钼电极,通过在钼电极表面进行局部被银,不仅改善了钼电极的焊接性能,而且节约了成本。
本发明采用以下技术方案。
一种表面局部被银的钼电极,包括钼电极本体,所述电极以金属钼成型,为一直径范围为1~4mm且高度范围为1.5~2mm的圆柱体,圆柱体顶端和底部覆以厚度为1±0.1um的银层。
所述圆柱体顶端、底部与银层的接触端面,其粗糙度为1.6。
所述银层为通过真空镀膜固接于电极圆柱体顶端和底部的银层。
所述银层为通过被银工艺烧渗固接于电极圆柱体顶端和底部,且纯度为Ag999.9的银层。
所述银层为被银工艺完成后再经退火处理的银层。
所述银层在圆柱体上的覆盖方法依次分为以下步骤:
A1、对钼圆柱电极表面进行工艺前期处理,加工电极表面使其粗糙度达到1.6,再对加工后的表面依次进行清洗液超声波清洗、干净离子水冲洗、无水酒精脱水,然后对其烘干。
A2、把完成工艺前期处理的钼圆柱电极移载入专用被银夹具中,确保被银夹具将钼圆柱电极侧壁部位遮挡使之外部环境隔离。
A3、把载有钼圆柱电极的专用被银夹具放入被银机内完成被银。
当被银工艺加工完成后,对覆有银层的钼电极进行退火处理。
本发明中,电极以金属钼成型,为一直径范围为1~4mm且高度范围为1.5~2mm的圆柱体,圆柱体顶端和底部覆以厚度为1±0.1um的银层,该结构中,金属钼有较高的使用温度和表面电流强度,让本发明所述电极拥用较长的使用寿命,而电极圆柱体顶端和底部的银层改善了电极的可焊接性,使电极圆柱体顶端和底部能以焊接工艺与外部元件相连,提升了本产品的适用性。
本发明中,有选择地仅对圆柱顶部和底部的部分区域进行被银,由于在电极的应用场景中,通常以这些部位作为焊接承力部位,侧面通常不作为连接部位,因此该设计在不影响产品的正常功用的同时节约了金属银材料,直接降低了生产成本。
在本发明中,银层为通过真空镀膜固接于电极圆柱体顶端和底部的银层。这样的设计可以实现清洁生产,无污染,且银层纯度高,废银可回收。
在本发明中,银层为通过被银工艺烧渗固接于电极圆柱体顶端和底部,且纯度为Ag999.9的银层,该工艺较为成熟,能在本产品上实现较厚银层的附着,以满足产品的功能需要。
在本发明中,当被银工艺加工完成后,对覆有银层的钼电极进行退火处理。这可以强化被银层与钼电极结合性,使被银层不易脱落。
在本发明中,在被银工艺中,使用专用被银夹具,夹具将钼圆柱电极侧壁部位遮挡使之外部环境隔离,这样在被银过程中,电极侧壁与被银机内部环境隔离,不会被覆银层,以简单方法实现了局部被银效果。
附图说明
下面结合附图对本发明进一步说明;
附图1是本发明所述产品的示意图;
图中:1-钼圆柱电极顶端,2-钼圆柱电极底部,3-钼圆柱电极侧壁,4-银层。
具体实施方式
如图1所示,一种表面局部被银的钼电极,包括钼电极本体,所述电极以金属钼成型,为一直径范围为1~4mm且高度范围为1.5~2mm的圆柱体,圆柱体顶端1和底部2覆以厚度为1±0.1um的银层4。
所述圆柱体顶端1、底部2与银层4的接触端面,其粗糙度为1.6。
所述银层4为通过真空镀膜固接于电极圆柱体顶端和底部的银层。
所述银层4为通过被银工艺烧渗固接于电极圆柱体顶端和底部,且纯度为Ag999.9的银层。
所述银层4为被银工艺完成后再经退火处理的银层。
所述银层4在圆柱体上的覆盖方法依次分为以下步骤:
A1、对钼圆柱电极表面进行工艺前期处理,加工电极表面使其粗糙度达到1.6,再对加工后的表面依次进行清洗液超声波清洗、干净离子水冲洗、无水酒精脱水,然后对其烘干。
A2、把完成工艺前期处理的钼圆柱电极移载入专用被银夹具中,确保被银夹具将钼圆柱电极侧壁3部位遮挡使之外部环境隔离。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建省南平市三金电子有限公司,未经福建省南平市三金电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510635758.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。