[发明专利]通过功率放大器负载调整的压缩控制

权利要求书

1.一种功率放大器模块，包括：

功率放大器，包括共射共基晶体管对，所述共射共基晶体管对包括第一晶体管和第二晶体管；

功率放大器偏置控制器，包括电流比较器，所述电流比较器被配置为比较所述第一晶体管的第一基极电流与所述第二晶体管的第二基极电流，以获得比较值；以及

饱和控制器，被配置为基于所述比较值来向阻抗匹配网络提供基准信号，所述阻抗匹配网络被配置为至少部分基于所述基准信号来更改与所述功率放大器电通信的负载线的负载阻抗。

2.根据权利要求1的功率放大器模块，其中，所述第一晶体管是共基极晶体管，而所述第二晶体管是共发射极晶体管。

3.根据权利要求1的功率放大器模块，其中，所述负载线与天线进行电通信，并且所述负载线电气地位于所述功率放大器与所述天线之间。

4.根据权利要求1的功率放大器模块，其中，所述阻抗匹配网络是动态阻抗匹配网络。

5.根据权利要求1的功率放大器模块，其中，所述饱和控制器还被配置为通过更改所述负载线的负载阻抗来减少所述功率放大器的压缩。

6.根据权利要求1的功率放大器模块，其中，所述饱和控制器还包括数模转换器和斜波发生器，所述斜波发生器被配置为向所述数模转换器提供计数值，所述数模转换器被配置为至少部分基于所述计数值来生成所述基准信号。

7.根据权利要求6的功率放大器模块，其中，所述饱和控制器包括与所述功率放大器偏置控制器进行电通信的下拉电阻器、电压输入/输出管脚和斜波时钟发生器，所述斜波时钟发生器被配置为基于跨所述下拉电阻器的电压来检测所述第一晶体管是否操作在饱和区域中，所述电压至少部分基于所述比较值，并且响应于检测到所述第一晶体管操作在所述饱和区域中，所述斜波时钟发生器被配置为使得所述斜波发生器更改所述计数值。

8.根据权利要求6的功率放大器模块，其中，所述数模转换器还被配置为至少部分基于平均功率跟踪值来生成所述基准信号，所述平均功率跟踪值基于从基站接收到的目标功率信号来确定。

9.根据权利要求6的功率放大器模块，其中，所述饱和控制器还包括射频RF前端，被配置为从饱和数据管脚接收默认数据值，所述计数值初始地对应于所述默认数据值。

10.根据权利要求9的功率放大器模块，其中，所述默认数据值是多个默认数据值之一，所述默认数据值基于目标电压来选择。

11.根据权利要求10的功率放大器模块，其中，所述目标电压至少部分基于从基站接收到的目标功率信号来确定。

12.根据权利要求1的功率放大器模块，还包括：升压转换器，被配置为调节向所述功率放大器提供的供电电压。

13.根据权利要求12的功率放大器模块，其中，所述饱和控制器还被配置为通过以下操作的组合来减少所述功率放大器的压缩：向所述升压转换器提供第二基准信号以增加所述供电电压；以及通过向所述阻抗匹配网络提供所述基准信号来更改所述负载线的负载阻抗。

14.一种收发机，包括：

阻抗匹配网络，被配置为基于基准信号来更改与功率放大器和天线进行电通信的负载线的负载阻抗；以及

功率放大器模块，包括功率放大器、功率放大器偏置控制器、和饱和控制器，所述功率放大器包括共射共基晶体管对，所述共射共基晶体管对包括第一晶体管和第二晶体管，所述功率放大器偏置控制器包括电流比较器，所述电流比较器被配置为比较所述第一晶体管的基极电流与所述第二晶体管的基极电流以获得比较值，所述饱和控制器被配置为至少部分基于所述比较值来生成所述基准信号并且向所述阻抗匹配网络提供所述基准信号。