[发明专利]一种透波型闭孔含铍碳化硅泡沫陶瓷的制备方法

权利要求书

1.一种透波型闭孔含铍碳化硅泡沫陶瓷的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

步骤一

按质量比，含铍聚碳硅烷：多元醇：催化剂＝1-2：1-2：0-1；配取含铍聚碳硅烷、多元醇、催化剂；将所配取的多元醇、催化剂混合均匀后，在搅拌状态，将配取的含铍聚碳硅烷粉末加入其中，至含铍聚碳硅烷、多元醇、催化剂充分混合均匀，得到混合溶液；所述催化剂选自二氯甲烷、聚二甲基硅氧烷中的至少一种；所述含铍聚碳硅烷粉末的粒径小于等于0.065毫米；

步骤二

按质量比，异氰酸酯：含铍聚碳硅烷＝1-2:1-2；将异氰酸酯加入步骤一所得混合溶液中，搅拌均匀，得到含异氰酸酯的混合溶液；

步骤三

将步骤二所得含异氰酸酯的混合溶液注入到壁面涂有脱模剂的模具中，密封4～5h，获得先驱体泡沫；

步骤四

在180-250℃，对步骤三所得先驱体泡沫进行预氧化处理；得到预氧化处理后的先驱体泡沫；

步骤五

在保护气氛下，于800-1500℃，对步骤四所得预氧化处理后的先驱体泡沫进行陶瓷化处理，得到透波型闭孔含铍碳化硅泡沫陶瓷。

2.根据权利要求1所述的一种透波型闭孔含铍碳化硅泡沫陶瓷的制备方法，其特征在于：步骤一中所述含铍聚碳硅烷中，铍的质量百分含量为0.05-0.2％。

3.根据权利要求1所述的一种透波型闭孔含铍碳化硅泡沫陶瓷的制备方法，其特征在于：步骤一中所述含铍聚碳硅烷是通过乙酰丙酮铍与聚碳硅烷反应得到，所述聚碳硅烷的数均分子量在2200以下，所述聚碳硅烷的支链上有Si-H键。

4.根据权利要求1所述的一种透波型闭孔含铍碳化硅泡沫陶瓷的制备方法，其特征在于：所述异氰酸酯为甲苯二异氰酸酯。

5.根据权利要求1所述的一种透波型闭孔含铍碳化硅泡沫陶瓷的制备方法，其特征在于：所述多元醇选自聚氧化丙烯二醇、聚四氢呋喃、聚己内脂二醇中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的一种透波型闭孔含铍碳化硅泡沫陶瓷的制备方法，其特征在于：所述脱模剂为甲基硅油。

7.根据权利要求1所述的一种透波型闭孔含铍碳化硅泡沫陶瓷的制备方法，其特征在于：步骤四中，在空气气氛下，于180-250℃，对步骤三所得先驱体泡沫进行预氧化处理2-4小时。

8.根据权利要求1所述的一种透波型闭孔含铍碳化硅泡沫陶瓷的制备方法，其特征在于：步骤五中，在保护气氛下，以1-10℃/min的加热速率升温至800-1500℃，并保温1-5小时，得到透波型闭孔含铍碳化硅泡沫陶瓷。

9.根据权利要求1-8任意一项所述的一种透波型闭孔含铍碳化硅泡沫陶瓷的制备方法，其特征在于：所述保护气氛由氮气、氩气、氦气中的至少一种构成。