[发明专利]白光半导体激光器阵列

权利要求书

1.白光半导体激光器阵列，其特征在于：包括底座(110)，底座(110)上构造有至少一个环状的屋脊结构(150)；任一屋脊结构(150)的侧面均中心对称地设有半导体激光芯片，半导体激光芯片包括红光半导体激光芯片(131)，绿光半导体激光芯片(132)，以及蓝光半导体激光芯片(133)。

2.根据权利要求1所述的白光半导体激光器阵列，其特征在于：底座(110)内部设有温度传感器，温度传感器用于采集半导体激光芯片的工作温度并对应产生温度信号。

3.根据权利要求2所述的白光半导体激光器阵列，其特征在于：底座(110)处设有电气接口(140)，电气接口(140)包括用于向半导体激光芯片供电的供电接口，以及用于读取温度信号的数据接口。

4.根据权利要求3所述的白光半导体激光器阵列，其特征在于：红光半导体激光芯片(131)、绿光半导体激光芯片(132)以及蓝光半导体激光芯片(133)分别采用不同的供电接口单独供电。

5.根据权利要求1所述的白光半导体激光器阵列，其特征在于：底座(110)内设有用于固定屋脊结构(150)的基板(120)，基板(120)内侧设有用于安置半导体激光芯片的电路板。

6.根据权利要求5所述的白光半导体激光器阵列，其特征在于：半导体激光芯片与基板(120)共晶焊接。

7.根据权利要求5所述的白光半导体激光器阵列，其特征在于：半导体激光芯片与电路板金线连接。

8.根据权利要求1～7中任一所述的白光半导体激光器阵列，其特征在于：任意相邻半导体激光芯片间的间距为2～5mm。

9.根据权利要求1～7中任一所述的白光半导体激光器阵列，其特征在于：红光半导体激光芯片(131)、绿光半导体激光芯片(132)、以及蓝光半导体激光芯片(133)的功率比为1:0.86:0.52。