[发明专利]一种红外焦平面探测器有效
| 申请号: | 201510630877.3 | 申请日: | 2015-09-29 |
| 公开(公告)号: | CN105226073B | 公开(公告)日: | 2018-09-14 |
| 发明(设计)人: | 张晓玲;孟庆端;宋璐;赵旭辉;王圣豪;史汗青;普杰信 | 申请(专利权)人: | 河南科技大学 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 郑州睿信知识产权代理有限公司 41119 | 代理人: | 陈浩 |
| 地址: | 471003 河*** | 国省代码: | 河南;41 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 红外 平面 探测器 | ||
1.一种红外焦平面探测器,该红外焦平面探测器包括光敏元芯片、铟块阵列、底充胶和硅读出电路,光敏元芯片通过铟块阵列与硅读出电路互连,底充胶填充在光敏元芯片与硅读出电路之间的夹缝中,其特征在于,所述铟块阵列中每一个铟块的上表面和下表面均为N边形或圆形,与光敏元芯片连接的铟块上表面面积小于与硅读出电路连接的铟块下表面面积,铟块的纵向切面整体上呈梯形,其中N≥3。
2.根据权利要求1所述的红外焦平面探测器,其特征在于,所述光敏元芯片通过铟块阵列与硅读出电路互连的方法为:分别在光敏元芯片的电极上和硅读出电路的电极上制备铟块阵列,借助倒装焊设备把两个铟块阵列通过冷压焊的方式连接成一个铟块阵列。
3.根据权利要求1所述的红外焦平面探测器,其特征在于,所述光敏元芯片通过铟块阵列与硅读出电路互连的方法为:只在光敏元芯片的电极上制备铟块阵列,或只在硅读出电路的电极上制备铟块阵列,借助倒装焊设备,通过铟块阵列实现光敏元芯片和硅读出电路之间的电连接。
4.根据权利要求1-3任一所述红外焦平面探测器,其特征在于,所述光敏元芯片为锑化铟(InSb)芯片或碲镉汞(HgCdTe)芯片或铟镓砷(InGaAs)芯片或铟砷锑(InAsSb)芯片或铟砷/镓锑(InAs/GaSb)芯片或镓砷/铝镓砷(GaAs/AlGaAs)芯片。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于河南科技大学,未经河南科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510630877.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种IGBT芯片及其制作方法
- 下一篇:一种显示基板及其制作方法、显示装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





