[发明专利]一种红外焦平面探测器有效

专利信息
申请号: 201510630877.3 申请日: 2015-09-29
公开(公告)号: CN105226073B 公开(公告)日: 2018-09-14
发明(设计)人: 张晓玲;孟庆端;宋璐;赵旭辉;王圣豪;史汗青;普杰信 申请(专利权)人: 河南科技大学
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 郑州睿信知识产权代理有限公司 41119 代理人: 陈浩
地址: 471003 河*** 国省代码: 河南;41
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摘要:
搜索关键词: 一种 红外 平面 探测器
【权利要求书】:

1.一种红外焦平面探测器,该红外焦平面探测器包括光敏元芯片、铟块阵列、底充胶和硅读出电路,光敏元芯片通过铟块阵列与硅读出电路互连,底充胶填充在光敏元芯片与硅读出电路之间的夹缝中,其特征在于,所述铟块阵列中每一个铟块的上表面和下表面均为N边形或圆形,与光敏元芯片连接的铟块上表面面积小于与硅读出电路连接的铟块下表面面积,铟块的纵向切面整体上呈梯形,其中N≥3。

2.根据权利要求1所述的红外焦平面探测器,其特征在于,所述光敏元芯片通过铟块阵列与硅读出电路互连的方法为:分别在光敏元芯片的电极上和硅读出电路的电极上制备铟块阵列,借助倒装焊设备把两个铟块阵列通过冷压焊的方式连接成一个铟块阵列。

3.根据权利要求1所述的红外焦平面探测器,其特征在于,所述光敏元芯片通过铟块阵列与硅读出电路互连的方法为:只在光敏元芯片的电极上制备铟块阵列,或只在硅读出电路的电极上制备铟块阵列,借助倒装焊设备,通过铟块阵列实现光敏元芯片和硅读出电路之间的电连接。

4.根据权利要求1-3任一所述红外焦平面探测器,其特征在于,所述光敏元芯片为锑化铟(InSb)芯片或碲镉汞(HgCdTe)芯片或铟镓砷(InGaAs)芯片或铟砷锑(InAsSb)芯片或铟砷/镓锑(InAs/GaSb)芯片或镓砷/铝镓砷(GaAs/AlGaAs)芯片。

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