[发明专利]一种基于MEH‑PPV的聚合物薄膜电双稳器件及其制作方法

权利要求书

1.一种基于MEH-PPV的聚合物薄膜电双稳器件，其特征在于，包括：从下至上依次设置的基底(1)、功能层、电极层(4)，

所述功能层为单层结构或双层结构；

所述单层结构为混合层(5)；混合层(5)的材质为PEG和MEH-PPV的混合物，其溶剂为环己酮，其中PEG与MEH-PPV的质量比为1:1，溶于1ml环己酮；

所述双层结构为绝缘层(3)、半导体层(2)；双层结构中，由下至上依次为绝缘层(3)、半导体层(2)，或由下至上依次为半导体层(2)、绝缘层(3)；

半导体层(2)的材质为MEH-PPV，浓度为4mg/ml，其溶剂为环己酮；

绝缘层(3)的材质为聚乙二醇，浓度为30mg/ml，其溶剂为乙醇。

2.如权利要求1所述的基于MEH-PPV的聚合物薄膜电双稳器件，其特征在于：基底(1)为附有导电材料的玻璃基板，所述的导电材料为氧化铟锡。

3.如权利要求1所述的基于MEH-PPV的聚合物薄膜电双稳器件，其特征在于：电极层(4)为低功函数材料，包括银、铝、锂、钙或镁。

4.如权利要求1所述的基于MEH-PPV的聚合物薄膜电双稳器件，其特征在于，制备步骤为：

1)清洗基底(1)；

2)在基底(1)上旋涂形成功能层；

3)在功能层上蒸镀形成电极层(4)。

5.如权利要求4所述的基于MEH-PPV的聚合物薄膜电双稳器件，其特征在于，功能层为单层结构时，具体制备步骤为：

步骤1：使用清洗剂将刻蚀好的氧化铟锡的基底(1)反复清洗，再将其依次置入去离子水、丙酮和乙醇中浸泡，并各超声30分钟，经氮气流干燥后，在紫外臭氧环境中处理15分钟；

步骤2：称量4mg分子量为4000的聚乙二醇和4mg的MEH-PPV，加入1mL的环己酮，放入大小为C07的磁子，在磁力搅拌机上以50℃充分搅拌12小时，使其充分溶解，将所得溶解均匀的溶液旋涂于基底上，形成混合层(5)，转速为2500转/分钟，旋涂成膜时间为50秒，将所得样品放在热台上进行退火处理；

步骤3：在10^-4Pa以上真空度的退火真空环境下将电极材料蒸镀到混合层(5)上，形成电极层(4)，所得的电极层(4)的厚度为100nm。

6.如权利要求4所述的基于MEH-PPV的聚合物薄膜电双稳器件，其特征在于，功能层为双层结构时，具体制备步骤为：

步骤1：使用清洗剂将刻蚀好的氧化铟锡的基底(1)反复清洗，再将其依次置入去离子水、丙酮和乙醇中浸泡，并各超声30分钟，经氮气流干燥后，在紫外臭氧环境中处理15分钟；

步骤2：称量30mg分子量为4000的聚乙二醇，加入1mL的乙醇，放入大小为C07的磁子，在磁力搅拌机上以50℃充分搅拌12小时，使其充分溶解，将所得溶解均匀的溶液旋涂于基底上，形成绝缘层(3)，转速为2000转/分钟，旋涂成膜时间为40秒，将所得样品放在热台上进行退火处理；

步骤3：称量4mg的MEH-PPV，加入1mL的环己酮，放入大小为C07的磁子，在磁力搅拌机上以50℃充分搅拌12小时，使其充分溶解，将所得溶解均匀的溶液旋涂于绝缘层上，形成半导体层(2)，转速为先2500转/分钟旋涂60秒使其成膜，接着6000转/分钟旋涂5秒使其加速溶剂挥发，最后将所得样品放在热台上进行退火处理；

步骤4：在10^-4Pa以上真空度的退火真空环境下将电极材料蒸镀到半导体层(2)上，形成电极层(4)，所得的电极层(4)的厚度为100nm。

7.如权利要求4所述的基于MEH-PPV的聚合物薄膜电双稳器件，其特征在于，功能层为双层结构时，另一具体制备步骤为：

步骤1：使用清洗剂将刻蚀好的氧化铟锡的基底(1)反复清洗，再将其依次置入去离子水、丙酮和乙醇中浸泡，并各超声30分钟，经氮气流干燥后，在紫外臭氧环境中处理15分钟；

步骤2：称量4mg的MEH-PPV，加入1mL的环己酮，放入大小为C07的磁子，在磁力搅拌机上以50℃充分搅拌12小时，使其充分溶解，将所得溶解均匀的溶液旋涂于基底上，形成半导体层(2)，转速为先2500转/分钟旋涂60秒使其成膜，接着6000转/分钟旋涂5秒使其加速溶剂挥发，最后将所得样品放在热台上进行退火处理；

步骤3：称量30mg分子量为4000的聚乙二醇，加入1mL的乙醇，放入大小为C07的磁子，在磁力搅拌机上以50℃充分搅拌12小时，使其充分溶解，将所得溶解均匀的溶液旋涂于半导体层上，形成绝缘层(3)，转速为2000转/分钟，旋涂成膜时间为40秒，将所得样品放在热台上进行退火处理；

步骤4：在10^-4Pa以上真空度的退火真空环境下将电极材料蒸镀到绝缘体(3)上，形成电极层(4)，所得的电极层(4)的厚度为100nm。