[发明专利]乙硼烷质量检测结构及检测方法

权利要求书

1.一种乙硼烷质量检测方法，其特征在于，包括：

提供一半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成一介质层；

采用包含乙硼烷的材料在所述介质层上形成一掺硼的磷硅玻璃；

进行回流工艺，形成一乙硼烷质量检测结构；

检测所述乙硼烷质量检测结构中是否出现缺陷，以判断乙硼烷的质量是否符合要求；

其中，所述缺陷是指分层；如果所述乙硼烷质量检测结构中未出现分层，则判断乙硼烷的质量符合要求；如果所述乙硼烷质量检测结构中出现分层，则判断乙硼烷的质量不符合要求。

2.如权利要求1所述的乙硼烷质量检测方法，其特征在于，采用显微镜检测所述乙硼烷质量检测结构正面是否出现空洞，如果出现空洞则推测所述乙硼烷质量检测结构中出现分层。

3.如权利要求2所述的乙硼烷质量检测方法，其特征在于，如果所述乙硼烷质量检测结构正面出现空洞，再对所述乙硼烷质量检测结构进行断面分析，以进一步确定所述乙硼烷质量检测结构中是否出现分层。

4.如权利要求2所述的乙硼烷质量检测方法，其特征在于，如果所述乙硼烷质量检测结构中出现分层，再采用气相色谱法或傅氏转换红外线光谱分析仪检测所述乙硼烷的成分。

5.如权利要求1所述的乙硼烷质量检测方法，其特征在于，所述半导体衬底是颗粒样片或陪片。

6.如权利要求1所述的乙硼烷质量检测方法，其特征在于，所述介质层是二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或多晶硅中的一种或其任意组合。

7.如权利要求1所述的乙硼烷质量检测方法，其特征在于，通过化学气相淀积工艺在所述介质层上形成掺硼的磷硅玻璃。

8.如权利要求7所述的乙硼烷质量检测方法，其特征在于，通过等离子体增强化学气相淀积工艺形成所述掺硼的磷硅玻璃，所述等离子体增强化学气相淀积工艺采用的化学气相源包含硅烷、乙硼烷和磷烷。

9.如权利要求1所述的乙硼烷质量检测方法，其特征在于，所述乙硼烷质量检测结构中掺硼的磷硅玻璃的厚度为所述乙硼烷用于制作的产品片中掺硼的磷硅玻璃的厚度的1.5～3倍。

10.如权利要求9所述的乙硼烷质量检测方法，其特征在于，所述掺硼的磷硅玻璃的厚度为

11.一种乙硼烷质量检测结构，其特征在于，包括：半导体衬底、介质层以及采用包含乙硼烷的材料形成并经过回流的掺硼的磷硅玻璃，所述介质层形成于半导体衬底上，所述掺硼的磷硅玻璃形成于介质层上；通过检测所述乙硼烷质量检测结构中是否出现缺陷以判断乙硼烷的质量是否符合要求，所述缺陷是指分层；如果所述乙硼烷质量检测结构中未出现分层，则判断乙硼烷的质量符合要求；如果所述乙硼烷质量检测结构中出现分层，则判断乙硼烷的质量不符合要求。

12.如权利要求11所述的乙硼烷质量检测结构，其特征在于，所述半导体衬底是颗粒样片或陪片。

13.如权利要求11所述的乙硼烷质量检测结构，其特征在于，所述介质层是二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或多晶硅中的一种或其任意组合。

14.如权利要求11所述的乙硼烷质量检测结构，其特征在于，所述乙硼烷质量检测结构中掺硼的磷硅玻璃的厚度为所述乙硼烷用于制作的产品片中掺硼的磷硅玻璃的厚度的1.5～3倍。

15.如权利要求14所述的乙硼烷质量检测结构，其特征在于，所述掺硼的磷硅玻璃的厚度为