[发明专利]电子级多晶硅的制备方法及制备系统

权利要求书

1.一种电子级多晶硅的制备方法，包括：

将氢气和硅烷气体混合获得原料混合气体，所述原料混合气体中所述硅烷气体的摩尔百分比为3％～5％；

预热所述原料混合气体；

将预热后的所述原料混合气体送入一化学气相沉积炉进行反应获得电子级多晶硅；

冷却尾气；

对冷却后的所述尾气进行过滤除尘；

将除尘过滤后的所述尾气通入冷氢化系统重新利用。

2.根据权利要求1所述的电子级多晶硅的制备方法，其特征在于：所述预热所述原料混合气体步骤包括：

预热所述原料混合气体至150℃～200℃。

3.根据权利要求2所述的电子级多晶硅的制备方法，其特征在于：所述将预热后的所述原料混合气体送入一化学气相沉积炉进行反应获得电子级多晶硅步骤进一步包括：

在所述化学气相沉积炉内设置复数个硅芯；

高压击穿所述硅芯；

将所述硅芯的表面温度控制于800℃～900℃；

所述预热后的所述原料混合气体通入所述化学气相沉积炉内；

在所述硅芯表面沉积生成所述电子级多晶硅。

4.根据权利要求3所述的电子级多晶硅的制备方法，其特征在于，所述将预热后的所述原料混合气体送入一化学气相沉积炉进行反应获得电子级多晶硅步骤进一步包括：

所述化学气相沉积炉内的反应压力为0.5MPa～0.6MPa。

5.根据权利要求4所述的电子级多晶硅的制备方法，其特征在于：所述化学气相沉积炉形成有一换热夹层，一套管式换热器的换热管与所述换热夹层通过管道连通，所述套管式换热器的换热管与所述换热夹层内填充导热油；

在所述预热所述原料混合气体步骤中，所述原料混合气体通过所述套管式换热器预热；在所述将所述硅芯的表面温度控制于800℃～900℃步骤中，通过所述换热夹层中的导热油对所述学气相沉积炉内部进行冷却，使得所述硅芯的表面温度控制于800℃～900℃。

6.根据权利要求5所述的电子级多晶硅的制备方法，其特征在于：在所述将氢气和硅烷气体混合获得原料混合气体步骤前，还包括步骤：

对系统管路进行氮气置换并持续一第一固定时间段；

对系统管路进行氢气置换并持续一第二固定时间段。

7.一种电子级多晶硅的制备系统，其特征在于，包括依次连接的一静态混合器、一原料气预热装置、一化学气相沉积炉、一尾气冷却装置和一尾气过滤装置；所述尾气过滤装置的出气口连接一冷氢化系统。

8.根据权利要求7所述的电子级多晶硅的制备系统，其特征在于：所述原料气预热装置采用套管式换热器。

9.根据权利要求8所述的电子级多晶硅的制备系统，其特征在于：所述化学气相沉积炉形成有一换热夹层，所述换热夹层与原料气预热装置的换热管通过管道连通，所述换热夹层与所述换热管内填充有导热油。

10.根据权利要求9所述的电子级多晶硅的制备系统，其特征在于：所述尾气冷却装置采用套管式换热器，所述尾气冷却装置的冷却介质采用水。