[发明专利]解决锗硅生长工艺中栅极顶角缺陷的方法

权利要求书

1.一种解决锗硅生长工艺中栅极顶角缺陷的方法，其特征在于包括：

第一步骤：在衬底上沉积多晶硅层，并利用图案化硬掩膜执行多晶硅层刻蚀以形成多晶硅栅极；

第二步骤：利用原子层沉积工艺沉积SiN层；

第三步骤：在晶圆表面旋涂抗反射涂层和光阻层；

第四步骤：使得光阻层曝光，从而仅仅留下与多晶硅栅极相对应的光阻图案；

第五步骤：利用光阻图案执行干法刻蚀以形成SiGe沟槽，其中在多晶硅栅极下方形成突出衬底表面的突起部，完全去除抗反射涂层和光阻层，并使得SiN层仅留下图案化硬掩膜和多晶硅栅极侧壁上的SiN部分；

第六步骤：对图案化硬掩膜及其侧壁上的SiN部分进一步进行湿法刻蚀以及预处理。

2.根据权利要求1所述的解决锗硅生长工艺中栅极顶角缺陷的方法，其特征在于，所述解决锗硅生长工艺中栅极顶角缺陷的方法在SiGe生长之前执行。

3.根据权利要求1或2所述的解决锗硅生长工艺中栅极顶角缺陷的方法，其特征在于还包括：清除第五步骤中干法刻蚀残留下的聚合物和颗粒型物质。

4.根据权利要求1或2所述的解决锗硅生长工艺中栅极顶角缺陷的方法，其特征在于，光阻图案的关键尺寸比多晶硅栅极的关键尺寸大3-8nm。

5.根据权利要求1或2所述的解决锗硅生长工艺中栅极顶角缺陷的方法，其特征在于，第五步骤包括：抗反射涂层的刻蚀、SiN层的刻蚀、硅衬底刻蚀、沟槽刻蚀。

6.根据权利要求5所述的解决锗硅生长工艺中栅极顶角缺陷的方法，其特征在于，抗反射涂层的刻蚀使用含F成分的气体或者HBr搭配O₂气体进行刻蚀，压力在3-10mt,功率在500-100w之间。

7.根据权利要求5所述的解决锗硅生长工艺中栅极顶角缺陷的方法，其特征在于，SiN层的刻蚀和硅衬底刻蚀使用含F成分的气体进行刻蚀，压力3-10mt,功率在150-1000w之间。

8.根据权利要求1或2所述的解决锗硅生长工艺中栅极顶角缺陷的方法，其特征在于，SiN层的厚度为50-200A。

9.根据权利要求1或2所述的解决锗硅生长工艺中栅极顶角缺陷的方法，其特征在于，抗反射涂层和光阻层的厚度在500-1200A之间。

10.根据权利要求1或2所述的解决锗硅生长工艺中栅极顶角缺陷的方法，其特征在于，第四步骤还包括对光刻胶进行烘烤。