[发明专利]相变存储器检测结构及其制备方法

权利要求书

1.一种相变存储器检测结构，其特征在于，所述相变存储器检测结构包括：

半导体衬底，所述半导体衬底内形成有有源区；

互连金属层；

相变存储器单元，位于所述半导体衬底上，且与所述有源区及所述互连金属层相连接相连接；所述相变存储器单元包括由下至上依次连接的大电极、下电极、相变电阻层及上电极；所述相变存储器单元通过所述大电极连接至所述有源区，通过所述上电极连接至所述互连金属层；

相变电阻伪单元，位于所述相变存储器单元的一侧，且与所述有源区及所述互连金属层相隔离；

所述相变电阻层及所述相变电阻伪单元均包括相变材料层及位于所述相变材料层上的粘附层，且所述相变电阻层及所述相变电阻伪单元为采用曝光和刻蚀工艺图形化同一相变材料层及同一粘附层而制得。

2.根据权利要求1所述的相变存储器检测结构，其特征在于：所述相变存储器单元还包括接触电极，所述接触电极的一端与所述有源区相连接，另一端与所述互连金属层相连接。

3.根据权利要求2所述的相变存储器检测结构，其特征在于：所述相变存储器检测结构还包括：第一绝缘介质层、第二绝缘介质层及第三绝缘介质层；

其中，

所述大电极位于所述第一绝缘介质层内；

所述下电极位于所述第二绝缘介质层内；

所述相变电阻层、所述相变电阻伪单元及所述上电极均位于所述第三绝缘介质层内，且所述相变电阻伪单元与所述相变电阻层及所述上电极通过所述第三绝缘介质层相隔离；

所述接触电极贯穿所述第一绝缘介质层、所述第二绝缘介质层及所述第三绝缘介质层，且所述接触电极与所述大电极、所述下电极、所述相变电阻层、所述相变电阻伪单元及介质层相隔离。

4.一种相变存储器检测结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有有源区；

在所述半导体衬底上制备大电极，所述大电极与所述有源区相连接；

在所述大电极上制备下电极；

在所述下电极上制备相变电阻层，并在所述相变电阻层的一侧制备相变电阻伪单元；

在所述相变电阻层上制备上电极；

在所述半导体衬底上制备接触电极，所述接触电极与所述有源区相连接；

制备互连金属层，所述互连金属层与所述上电极及所述接触电极相连接。

5.根据权利要求4所述的相变存储器检测结构的制备方法，其特征在于：在所述半导体衬底上制备大电极包括：

在所述半导体衬底上沉积第一绝缘介质层；

在所述有源区上方的所述第一绝缘介质层内形成第一通孔，所述第一通孔暴露出所述有源区；

在所述第一通孔内沉积金属以形成所述大电极。

6.根据权利要求5所述的相变存储器检测结构的制备方法，其特征在于：在所述大电极上制备下电极包括：

在所述第一绝缘介质层及所述大电极上沉积第二绝缘介质层；

在所述大电极上方的所述第二绝缘介质层内形成第二通孔，所述第二通孔暴露出所述大电极；

在所述第二通孔内沉积金属以形成所述下电极。

7.根据权利要求6所述的相变存储器检测结构的制备方法，其特征在于：在所述下电极上制备相变电阻层，并在所述相变电阻层的一侧制备相变电阻伪单元包括：

在所述第二绝缘介质层及所述下电极上依次沉积相变材料层及粘附层；

采用曝光和刻蚀工艺图形化所述相变材料层及所述粘附层，以形成所述相变电阻层及所述相变电阻伪单元。

8.根据权利要求7所述的相变存储器检测结构的制备方法，其特征在于：在所述相变电阻层上制备上电极包括：

在所述第二绝缘介质层及所述粘附层沉积第三绝缘介质层，所述第三绝缘介质层包覆所述相变电阻层及所述相变电阻伪单元；

在所述相变电阻层上方的所述第三绝缘介质层内形成第三通孔，所述第三通孔暴露出所述粘附层；

在所述第三通孔内沉积金属以形成所述上电极。

9.根据权利要求8所述的相变存储器检测结构的制备方法，其特征在于：在所述半导体衬底上制备接触电极包括：

在所述有源区上方形成贯穿所述第一绝缘介质层、所述第二绝缘介质层及所述第三绝缘介质层的第四通孔，所述第四通孔暴露出所述有源区；

在所述第四通孔内沉积金属以形成所述接触电极。