[发明专利]高压肖特基二极管器件

说明书

本发明公开了一种高压肖特基二极管器件，包含：一N型深阱；在N型深阱的外围，俯视平面上，有一环形的高压P阱环绕包围N型深阱，且与N型深阱不接触；高压P阱中还具有重掺杂P型区；在N型深阱中，具有环形的P阱，以及位于环形P阱外围环形的N阱，P阱与N阱之间以场氧隔离；P阱中具有重掺杂P型区，N阱中具有重掺杂N型区，重掺杂P型区和重掺杂N型区上有接触孔形成引出；所述N型深阱和其外围的高压P阱是位于一P型埋层之上。本发明将N型埋层变为P型埋层，采用双RESUFE原理，提高肖特基二极管的耐压能力。

技术领域

本发明涉及半导体器件制造领域，特别是指一种高压肖特基二极管器件。

背景技术

肖特基二极管(Schottky Barrier Diode,缩写成SBD)，是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体(接触)二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。

肖特基二极管以贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。

在传统BCD工艺里，肖特基二极管的结构一般如图1所示，其N型埋层之上为N型深阱，N型深阱中有环形的P阱和环形的N阱，N阱中有重掺杂N型区，表面形成肖特基结，引出形成肖特基二极管的正极，N型深阱引出形成肖特基二极管的负极。该结构肖特基二极管的击穿电压BV是由N型深阱里的P阱与N型深阱之间的PN结提供，因此，当要求的肖特基二极管击穿电压大于此PN结电压时，该结构就无法实现了。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种高压肖特基二极管器件，具有较高的击穿电压。

为解决上述问题，本发明所述的一种高压肖特基二极管器件,其结构包含：

一N型深阱；

在N型深阱的外围，俯视平面上，有一环形的高压P阱环绕包围N型深阱，且与N型深阱不接触；

高压P阱中还具有重掺杂P型区；

在N型深阱中，具有环形的P阱，以及位于环形P阱外围环形的N阱，P阱与N阱之间以场氧隔离；

P阱中具有重掺杂P型区，N阱中具有重掺杂N型区，重掺杂P型区和重掺杂N型区上有接触孔形成引出；

所述N型深阱和其外围的高压P阱是位于一P型埋层之上。

所述P型埋层往外侧延伸，高压P阱和N型深阱的投影都位于P型埋层范围之内。

本发明所述的高压肖特基二极管，通过将原N型深阱下的N型埋层变为P型埋层，采用双RESUFE原理，提高肖特基二极管的耐压能力，而且该结构的制造工艺与原BCD工艺兼容，不增加制造成本。

附图说明

图1是常规高压肖特基二极管的结构示意图；

图2是本发明高压肖特基二极管的结构示意图。

附图标记说明

1是P型埋层，2是高压P阱，3是N型深阱，4是重掺杂P型区，5是隔离区，6是重掺杂N型区，7是N阱，8是P阱，9是N型埋层。

具体实施方式