[发明专利]一种晶圆表面键合工艺及一种半导体器件结构有效
| 申请号： | 201510624214.0 | 申请日： | 2015-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN105336628B | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 王喜龙;胡胜;邹文;王言虹 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L23/10 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 表面 工艺 半导体器件 结构 | ||
1.一种晶圆Si表面键合工艺，其特征在于，所述工艺包括：
提供一晶圆，所述晶圆的表面包含有悬挂键；
沉积一薄膜层覆盖所述晶圆的表面；
沉积一包含H+离子的介质层覆盖所述薄膜层的上表面；
采用Anneal工艺，使所述介质层的H+离子与所述晶圆的表面的悬挂键键合；
所述薄膜层包括第一薄膜层和第二薄膜层，第一薄膜层为高K介质层，第二薄膜层为氧化硅层；
其中，所述第一薄膜层覆盖所述晶圆的上表面；所述第二薄膜层覆盖所述第一薄膜层的上表面。
2.如权利要求1所述的晶圆Si表面键合工艺，其特征在于，包含H+离子的所述介质层材质为SiN。
3.一种半导体器件结构，其特征在于，所述结构包括：
晶圆，表面残留有悬挂键；
薄膜层，覆盖所述晶圆的表面；
介质层，覆盖所述薄膜层的上表面，且所述介质层中具有H+离子；以及
利用退火工艺，使所述H+离子与所述悬挂键键合，以提高所述晶圆表面的键合程度；
所述薄膜层包括第一薄膜层和第二薄膜层，第一薄膜层为高K介质层，第二薄膜层为氧化硅层；
其中，所述第一薄膜层覆盖所述晶圆的上表面；所述第二薄膜层覆盖所述第一薄膜层的上表面。
4.如权利要求3所述的半导体器件结构，其特征在于，所述第一薄膜层覆盖所述晶圆的表面，所述第二薄膜层覆盖所述第一薄膜层的表面，且包含H+离子的所述介质层覆盖所述第二薄膜层的表面。
5.如权利要求3所述的半导体器件结构，其特征在于，包含H+离子的所述介质层材质为SiN。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
