[发明专利]一种高介电常数界面层的制备方法

权利要求书

1.一种高介电常数界面层的制备方法，所述高介电常数界面层位于铪基栅介质层与硅基衬底之间，其特征在于，所述高介电常数界面层的制备方法，包括：

执行步骤S1：提供硅基衬底，并利用H₂SO₄和H₂O₂的混合溶液对所述硅基衬底进行清洗；

执行步骤S2：采用RCA清洗法对所述硅基衬底进行清洗；

执行步骤S3：采用HF溶液对所述硅基衬底进行清洗；

执行步骤S4：采用热氧化法生长SiO₂/SiON过渡层；

执行步骤S5：采用SC1(NH₄OH/H₂O₂/H₂O)化学溶液清洗工艺清洗所述SiO₂/SiON过渡层，以使得所述SiO₂/SiON过渡层具有羟基(-OH)，进一步采用Siconi循环清洗法和化学氧化方式使界面层掺杂氟(F)元素，以改善器件的NBTI效应，所述SiO₂/SiON过渡层之羟基(-OH)与所述铪基栅介质层形成Hf-Si-O的混合结构；

执行步骤S6：在经过SC1化学溶液清洗之SiO₂/SiON过渡层上淀积高介电常数栅介质层。

2.如权利要求1所述的高介电常数界面层的制备方法，其特征在于，在执行步骤S4后所获得的SiO₂/SiON过渡层之厚度为0～10埃。

3.如权利要求1所述的高介电常数界面层的制备方法，其特征在于，在执行步骤S5后所述SiO₂/SiON过渡层具有羟基(-OH)。

4.如权利要求3所述的高介电常数界面层的制备方法，其特征在于，所述具有羟基(-OH)之SiO₂/SiON过渡层的厚度为0～8埃。

5.如权利要求1所述的高介电常数界面层的制备方法，其特征在于，所述热氧化法生长SiO₂/SiON过渡层，进一步包括热氮化、等离子体氮化附属掺杂工艺。

6.如权利要求1所述的高介电常数界面层的制备方法，其特征在于，采用SC1(NH₄OH/H₂O₂/H₂O)化学溶液清洗工艺清洗所述SiO₂/SiON过渡层，进一步包括具有掺杂性质的清洗方法。

7.如权利要求6所述的高介电常数界面层的制备方法，其特征在于，所述掺杂性质的清洗方法为Siconi循环清洗法和化学氧化方式使界面层掺杂氟(F)元素。

8.如权利要求1～7任一权利要求所述的高介电常数界面层的制备方法，其特征在于，所述高介电常数栅介质层为铪基栅介质层。