[发明专利]对晶圆表面贴覆的各种薄膜进行激光切膜的新工艺

权利要求书

1.一种对晶圆表面贴覆的各种薄膜进行激光切膜的新工艺，其特征在于，对该晶圆表面贴覆的薄膜进行激光切膜的工艺包括如下步骤：首先设置一个激光切膜系统，所述激光切膜系统包括激光器、高速振镜扫描器、聚焦透镜组，该系统的激光器沿Z轴垂直向下发出一束激光、其激光能量可以根据所要切割的薄膜材质和厚度进行调整，调控该系统中的高速振镜扫描器使激光束照射到需要切割的位置，再调整该系统中的聚焦透镜组使激光束聚焦在晶圆表面贴敷的薄膜里，然后按照切割轨迹要求，匀速移动该系统的激光束对晶圆表面贴敷的薄膜进行切割。

2.根据权利要求1所述的对晶圆表面贴覆的各种薄膜进行激光切膜的新工艺，其特征在于：所述激光切膜系统的激光器、高速振镜扫描器和聚焦透镜组与计算机控制系统连接，所述计算机控制系统通过调控所述激光器、高速振镜扫描器和聚焦透镜组，实现激光束在高速振镜扫描器和聚焦透镜组的可视范围内匀速移动。

3.根据权利要求2所述的对晶圆表面贴覆的各种薄膜进行激光切膜的新工艺，其特征在于：所述计算机控制系统内安装有激光切割轨迹编辑单元，所述激光切割轨迹编辑单元用于对激光束的切割轨迹进行编辑和设定，所述计算机控制系统可以调控所述激光切膜系统中的激光器、高速振镜扫描器和聚焦透镜组，使所述激光束按事先编辑设定好的切割轨迹进行移动。

4.根据权利要求1所述的对晶圆表面贴覆的各种薄膜进行激光切膜的新工艺，其特征在于：所述薄膜包括应用于在晶圆上制造集成电路或半导体元器件的切割蓝膜、切割白膜、减薄保护膜、UV膜或DAF导电膜。

5.根据权利要求4所述的对晶圆表面贴覆的各种薄膜进行激光切膜的新工艺，其特征在于：所述薄膜厚度在0.02mm到1.5mm之间。

6.根据权利要求1所述的对晶圆表面贴覆的各种薄膜进行激光切膜的新工艺，其特征在于：所述激光切膜系统聚焦在薄膜上的激光束光斑直径小于0.2mm。

7.根据权利要求1所述的对晶圆表面贴覆的各种薄膜进行激光切膜的新工艺，其特征在于：所述激光切割轨迹编辑单元对激光切膜过程中的切割轨迹即可进行任意二维闭合形状的编辑和设定，也可进行任意二维非闭合切割轨迹的编辑和设定。

8.根据权利要求1所述的对晶圆表面贴覆的各种薄膜进行激光切膜的新工艺，其特征在于：所述激光切膜工艺应用于晶圆的直径尺寸为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸、12英寸、16英寸，除了对晶圆表面贴覆的各种薄膜进行激光切膜外，还可以对任意二维多边形薄片表面贴覆的各种薄膜进行激光切膜。

9.根据权利要求1所述的对晶圆表面贴覆的各种薄膜进行激光切膜的新工艺，其特征在于：所述激光切膜工艺即可用于沿着晶圆的边缘或任意二维多边形薄片的边缘进行薄膜切割，也可用于缩进晶圆边缘内或任意二维多边形薄片边缘内一定尺寸，或超出晶片边缘外或任意二维多边形薄片边缘外一定尺寸进行薄膜切割。