[发明专利]光电二极管及光电二极管的制造方法

权利要求书

1.一种光电二极管，其特征在于，包括：

第一导电类型电极区；

第一导电类型衬底，该第一导电类型衬底设置在该第一导电类型电极区上；

第二导电类型电极区，该第二导电类型电极区设置在该第一导电类型衬底上；

导电延伸区，该导电延伸区围绕该第二导电类型电极区，该导电延伸区纵向贯穿该第一导电类型衬底且连接该第一导电类型电极区。

2.如权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，还包括：

第一电极，该第一电极设置在该第一导电类型电极区的底面并电连接该第一导电类型电极区，该第一电极与该第一导电类型衬底位于该第一导电类型电极区相背的两侧。

3.如权利要求2所述的光电二极管，其特征在于，还包括：

第二电极，该第二电极设置在该第二导电类型电极区上并电连接该第二导电类型电极区。

4.如权利要求3所述的光电二极管，其特征在于，还包括：

抗反射层，该抗反射层设置在该第二导电类型电极区上；

该抗反射层开设有抗反射层开口，该第二电极穿设该抗反射层开口。

5.如权利要求4所述的光电二极管，其特征在于，还包括：

绝缘层，该绝缘层形成在该第二导电类型电极区及该第一导电类型衬底上，并覆盖暴露在该第一导电类型衬底的该导电延伸区的端面；

该绝缘层开设有绝缘层开口，该绝缘层开口暴露该抗反射层及该第二电极。

6.如权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，该导电延伸区包括：

导电层；及

电极延伸区，该电极延伸区围绕该导电层，该电极延伸区电连接该导电层。

7.如权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，该第一导电类型衬底包括：

耗尽区域，该导电延伸区围绕该耗尽区域。

8.如权利要求7所述的光电二极管，其特征在于，该耗尽区域包括：

感光区域，该感光区域位于该第一导电类型电极区与该第二导电类型电极区之间。

9.一种光电二极管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

在第一导电类型电极区上形成第一导电类型衬底；

在该第一导电类型衬底中形成纵向贯穿该第一导电类型衬底的环形沟槽；

在该环形沟槽内形成导电延伸区，该导电延伸区纵向贯穿该第一导电类型衬底且连接该第一导电类型电极区；及

在该第一导电类型衬底上形成第二导电类型电极区，该导电延伸区围绕该第二导电类型电极区。

10.如权利要求9所述的光电二极管的制造方法，其特征在于，所述在该第一导电类型电极区上形成该第一导电类型衬底，包括：

通过外延生长的方式或者通过键合的方式在该第一导电类型电极区上形成该第一导电类型衬底。

11.如权利要求9所述的光电二极管的制造方法，其特征在于，所述在该第一导电类型衬底中形成纵向贯穿该第一导电类型衬底的该环形沟槽，包括：

对该第一导电类型衬底的表面进行氧化，并通过干法刻蚀的方式形成该环形沟槽。

12.如权利要求9所述的光电二极管的制造方法，其特征在于，所述在该环形沟槽内形成该导电延伸区，包括：

通过气相掺杂的方式对该环形沟槽的侧壁进行第一导电类型杂质掺杂以形成电极延伸区；

使用多晶材料对形成有该电极延伸区的该环形沟槽进行填充，同时对该多晶材料进行该第一导电类型杂质掺杂以形成导电层，该电极延伸区围绕该导电层。

13.如权利要求9所述的光电二极管的制造方法，其特征在于，所述在该第一导电类型衬底上形成该第二导电类型电极区，包括：

采用表面杂质注入与扩散的方式在该第一导电类型衬底上形成该第二导电类型电极区。

14.如权利要求9所述的光电二极管的制造方法，其特征在于，还包括以下步骤：

在该第一导电类型电极区的底面形成第一电极，该第一电极与该第一导电类型衬底位于该第一导电类型电极区相背的两侧。