[发明专利]光刻返工过程中的表面处理方法在审
| 申请号： | 201510618705.4 | 申请日： | 2015-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN105280480A | 公开（公告）日： | 2016-01-27 |
| 发明（设计）人： | 吴珂;陈俊 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光刻 返工 过程 中的 表面 处理 方法 | ||
1.一种光刻返工过程中的表面处理方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1，提供一半导体结构，所述半导体结构包括薄膜层和设置于所述薄膜层上表面的待返工的光刻胶；
步骤S2，采用等离子体去除所述待返工的光刻胶；
步骤S3，依次对所述半导体结构的表面进行清洗和干燥工艺；
步骤S4，继续对所述半导体结构进行快速热处理工艺；
步骤S5，于所述薄膜层上表面重新涂覆光刻胶。
2.如权利要求1所述的光刻返工过程中的表面处理方法，其特征在于，所述薄膜层为硬质掩膜层或抗反射层。
3.如权利要求2所述的光刻返工过程中的表面处理方法，其特征在于，所述硬质掩膜层的材质为氮化硅，且所述硬质掩膜层的厚度为20～50nm。
4.如权利要求2所述的光刻返工过程中的表面处理方法，其特征在于，所述抗反射层的材质为氮氧化硅，且所述抗反射层的厚度为30～40nm。
5.如权利要求1所述的光刻返工过程中的表面处理方法，其特征在于，所述等离子体为氧气等离子体。
6.如权利要求1所述的光刻返工过程中的表面处理方法，其特征在于，所述步骤S3具体为：
第一清洗步骤，采用含有硫酸和过氧化氢的水溶液清洗所述半导体结构的表面；
第二清洗步骤，采用含有氢氧化铵和过氧化氢的水溶液清洗所述半导体结构的表面；
干燥步骤，采用异丙醇溶剂干燥所述半导体结构的表面。
7.如权利要求1所述的光刻返工过程中的表面处理方法，其特征在于，所述步骤S4具体为：在一氧化二氮和氮气的气氛中对所述半导体结构进行快速热处理工艺。
8.如权利要求1所述的光刻返工过程中的表面处理方法，其特征在于，在所述步骤S4中，所述快速热处理工艺的温度为400～600℃。
9.如权利要求1所述的光刻返工过程中的表面处理方法，其特征在于，在所述步骤S4中，所述快速热处理工艺的时间为90-110s。
10.如权利要求1所述的光刻返工过程中的表面处理方法，其特征在于，在所述步骤S2和所述步骤S3造成所述薄膜层表面物理化学性质发生变化后进行所述步骤S4。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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