[发明专利]一种纳米粗糙铂电极及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201510615076.X | 申请日： | 2015-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN105353008A | 公开（公告）日： | 2016-02-24 |
| 发明（设计）人： | 顾文秀;王苗苗;徐西腾;邹路易;滕跃;胡锐;李海新;沙子辰 | 申请（专利权）人： | 江南大学 |
| 主分类号： | G01N27/30 | 分类号： | G01N27/30 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214122 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 粗糙 电极 及其 制备 方法 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种纳米粗糙铂电极的制备方法，其特征在于以光亮铂电极为工作电极，饱和甘汞电极为参比电极，铂片电极为对电极，组成三电极体系，在0.5mol/LH2SO4水溶液中采用方波脉冲法处理电极表面1～10s，所采用的方波参数为：频率1kHz，方波上限为2.2～2.4V，下限为-0.4～-0.2V；然后在-0.2V电位下还原0.5～5s，即得纳米粗糙铂电极。
2.根据权利要求1所述的一种纳米粗糙铂电极的制备方法所制备的纳米粗糙铂电极的应用，其特征在于采用线性扫描溶出伏安法检测痕量As(III)，其工作电极为纳米粗糙铂电极，参比电极为饱和甘汞电极，对电极为铂片电极，组成三电极体系，在0.1～1mol/LH2SO4水溶液中采用线性扫描溶出伏安法，据0.85V处的检测信号峰电流与浓度的对应线性关系，建立标准曲线，用于检测水样中痕量的As(III)；实验条件：沉积电位为-0.4～0.2V，沉积时间为30～200s，扫描速率为100mV/s，溶出电位为0.4～1.3V。
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