[发明专利]一种数据存储方法及电子设备

说明书

本发明公开了一种数据存储方法及电子设备，包括：获得电子设备的运行状态参数；根据所述运行状态参数，确定与所述运行状态参数对应的数据存储策略；根据所述数据存储策略，获得与所述数据存储策略对应的目标数据；根据所述目标数据的数据类别，将所述目标数据写入所述电子设备的固态存储器的闪存或者缓存中。上述方法用于解决现有技术中存在的，系统的数据写入方式比较固定，不够灵活的技术问题。

技术领域

本发明涉及电子技术领域，特别涉及一种数据存储方法及电子设备。

背景技术

SSD(Solid State Drives)是固态存储器(固态硬盘)的缩写，SSD控制器主要提供主机访问到闪存颗粒的访问控制。由于闪存写入特性，对于一个访问单元，必须先擦除之后才能写入。擦除操作会导致系统写入性能过低。

为了解决上述问题，在固态硬盘中加入内存作为缓存，当数据写入的时候需要先数据写入缓存中，等到系统空闲或者缓存满的时候再把数据写回到闪存中。这样可以减少写入延迟，和对闪存颗粒的写入，从而增加闪存的寿命。

然而，本申请发明人在实现本申请实施例中发明技术方案的过程中，发现上述技术至少存在如下技术问题：

现有技术中，在不存在缓存时，只能将数据直接写入闪存；在存在缓存时，总是将数据写入缓存，再写入闪存。系统的数据写入方式比较固定，不够灵活。

发明内容

本发明实施例提供一种数据存储方法及电子设备，用于解决现有技术中存在的，系统的数据写入方式比较固定，不够灵活的技术问题。

一方面，本申请实施例提供一种数据存储方法，包括：

获得电子设备的运行状态参数；

根据所述运行状态参数，确定与所述运行状态参数对应的数据存储策略；

根据所述数据存储策略，获得与所述数据存储策略对应的目标数据；

根据所述目标数据的数据类别，将所述目标数据写入所述电子设备的固态存储器的闪存或者缓存中。

可选的，获得电子设备的运行状态参数，包括：

获得所述电子设备的电量剩余参数。

可选的，根据所述运行状态参数，确定与所述运行状态参数对应的数据存储策略，包括：

判断所述电量剩余参数是否小于或者等于第一电量阈值；

在所述电量剩余参数小于或者等于所述第一电量阈值时，确定所述数据存储策略为将所述缓存中存储的数据和所述电子设备需要写入所述固态存储器的数据写入所述闪存中。

可选的，根据所述运行状态参数，确定与所述运行状态参数对应的数据存储策略，包括：

判断所述电量剩余参数是否大于第二电量阈值；

在所述电量剩余参数大于所述第二电量阈值时，确定所述数据存储策略为将所述电子设备需要写入所述固态存储器的数据写入所述缓存中。

可选的，获得电子设备的运行状态参数，包括：

获得所述电子设备当前写入所述缓存的数据的数据特征；

根据所述运行状态参数，确定与所述运行状态参数对应的数据存储策略，包括：

判断所述数据特征是否满足预设条件；

在所述数据特征满足所述预设条件时，确定所述数据存储策略为将所述电子设备需要写入所述缓存的数据写入所述闪存中。

可选的，所述方法还包括：

获得用户基于所述电子设备进行的多个数据访问操作；