[发明专利]大动态范围线性-对数响应CMOS图像传感器有效

专利信息
申请号: 201510611884.9 申请日: 2015-09-21
公开(公告)号: CN105227870B 公开(公告)日: 2018-08-31
发明(设计)人: 徐江涛;周益明;高志远;聂凯明;高静;史再峰 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: H04N5/374 分类号: H04N5/374;H04N5/359;H04N5/365
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 刘国威
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 动态 范围 线性 对数 响应 cmos 图像传感器
【权利要求书】:

1.一种大动态范围线性-对数响应CMOS图像传感器,其特征是,复位开关SRST连接复位电压Vrst和光电二极管PD,用于对PD进行复位;传输开关STX连接PD和浮空节点FD,以实现像素的双采样;设置有两个串联的对数NMOS晶体管MLOG1、MLOG2,MLOG1漏极接电源电压,MLOG1栅极接参考电压VLOG,MLOG1源级与MLOG2漏极相连,MLOG2栅极与MLOG2漏极相连,MLOG1源级连接到FD;设置有基准电流源Ical和校准开关Scal,Scal连接FD与Ical,Ical另一端接地,用于固定模式噪声的消除;FD接输出MOS管栅极,输出MOS管漏极接电源电压,输出MOS管源级通过开关Ssel进行输出。

2.如权利要求1所述的大动态范围线性-对数响应CMOS图像传感器其特征是,复位期间,复位开关SRST和传输开关STX闭合,对光电二极管和浮空节点进行复位,复位电平Vrst=VDD;曝光期间,复位开关SRST关断、传输开关STX闭合,光电二极管产生的光电流大小为Iph;当光照较低时,VFD电压较高,对数管处于截止状态,在一定积分时间内,VFD随着Iph线性下降;当光照较高时,FD点电压VFD持续下降,当VFD<VLOG-2VTH,其中VTH为对数管阈值电压,此时对数管导通,并且工作在亚阈值状态。

3.如权利要求1所述的大动态范围线性-对数响应CMOS图像传感器其特征是,在双采样期间,STX关断,校准开关Scal闭合,将基准电流源Ical接入浮空节点,采样得到校准电平VFD2。

4.如权利要求1所述的大动态范围线性-对数响应CMOS图像传感器其特征是,复位开关采用两个串联PMOS晶体管实现,其中一个晶体管源级和漏极相连,用于削弱电荷注入效应;传输开关采用传输门,传输门为一个NMOS晶体管和一个PMOS晶体管并联;校准开关和行选各用一个NMOS晶体管组成。

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