[发明专利]用于RF开关优化的本体偏置

权利要求书

1.一种开关，包括：

串联设置的多个晶体管，所述多个晶体管中的每个晶体管包括源极、漏极、布置在所述源极和所述漏极之间的沟道、以及用于控制所述沟道的栅极；

第一偏置网络，被配置为偏置所述多个晶体管的所述栅极；以及

第二偏置网络，被配置为偏置所述多个晶体管的所述沟道。

2.根据权利要求1所述的开关，其中，所述第二偏置网络包括用于所述多个晶体管中的每个晶体管的电阻器，其中所述电阻器串联设置，其中每个电阻器具有近端和远端，其中每个电阻器的每个远端与节点相关联，以及其中每个所述节点偏置对应的晶体管的所述沟道。

3.根据权利要求1所述的开关，其中，所述第二偏置网络包括第一二极管，所述第一二极管被正向偏置。

4.根据权利要求3所述的开关，其中，所述第二偏置网络进一步包括与所述第一二极管串联的第二二极管和第三二极管，所述第二二极管和所述第三二极管也被正向偏置。

5.根据权利要求3所述的开关，进一步包括与所述第一二极管并联设置的第二二极管，所述第二二极管被反向偏置。

6.根据权利要求1所述的开关，进一步包括被配置为提供可变偏置电压的DC控制电路，其中所述第一偏置网络和所述第二偏置网络被配置为从所述DC控制电路接收相同的可变偏置电压。

7.根据权利要求1所述的开关，进一步包括用于每个晶体管的并联连接在所述晶体管的所述源极和所述漏极之间的梯形电阻器。

8.根据权利要求1所述的开关，其中，所述开关被限定在CMOS中。

9.根据权利要求1所述的开关，其中，所述开关被限定在绝缘体上硅裸片上。

10.一种RF装置，包括：

多个功率放大器；

天线；以及

天线开关，被配置为一次将所述多个功率放大器中的一个功率放大器耦合至所述天线，所述天线开关包括用于每个功率放大器的串联开关，所述串联开关包括

串联设置的多个晶体管，所述多个晶体管中的每个晶体管包括源极、漏极、布置在所述源极和所述漏极之间的沟道、以及用于控制所述沟道的栅极，

第一偏置网络，被配置为偏置所述多个晶体管的所述栅极，以及

第二偏置网络，被配置为偏置所述多个晶体管的所述沟道。

11.根据权利要求10所述的RF装置，其中，所述第二偏置网络包括用于所述多个晶体管中的每个晶体管的电阻器，其中所述电阻器串联设置，其中每个电阻器具有近端和远端，其中每个电阻器的每个远端与节点相关联，以及其中每个所述节点偏置对应的晶体管的所述沟道。

12.根据权利要求10所述的RF装置，其中，所述第二偏置网络包括第一二极管，所述第一二极管被正向偏置。

13.根据权利要求12所述的RF装置，其中，所述第二偏置网络进一步包括与所述第一二极管串联的第二二极管和第三二极管，所述第二二极管和所述第三二极管也被正向偏置。

14.根据权利要求12所述的RF装置，进一步包括与所述第一二极管并联设置的第二二极管，所述第二二极管被反向偏置。

15.根据权利要求10所述的RF装置，进一步包括被配置为提供可变偏置电压的DC控制电路，其中所述第一偏置网络和所述第二偏置网络被配置为从所述DC控制电路接收相同的可变偏置电压。

16.根据权利要求10所述的RF装置，进一步包括用于每个晶体管的并联连接在所述晶体管的所述源极和所述漏极之间的梯形电阻器。

17.根据权利要求10所述的RF装置，其中，所述开关被限定在CMOS中。

18.根据权利要求10所述的RF装置，其中，所述开关被限定在绝缘体上硅裸片上。