[发明专利]I/O插件的上电自检方法和装置有效

专利信息
申请号: 201510607140.X 申请日: 2015-09-22
公开(公告)号: CN105095039B 公开(公告)日: 2018-11-02
发明(设计)人: 王奇;喻文冲;贺建国;代飞;颜光;朱晖;彭扶权;易红;罗永升;单勇腾;李晓涛 申请(专利权)人: 湖南中车时代通信信号有限公司
主分类号: G06F11/22 分类号: G06F11/22
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 施浩
地址: 410100 湖南省长沙市*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 插件 自检 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种I/O插件的上电自检方法,I/O插件的上电自检方法用于安全计算机平台或列车运行监控系统,方法包括:

进行SRAM芯片自检,通过多次逐地址的读写操作对SRAM芯片的全地址范围进行检查;

进行闪存芯片自检;

进行CPU片内RAM自检,通过多次逐地址的读写操作对CPU片内的RAM进行检查;

进行插件内部通信通道自检;

进行插件通道上电自检。

2.根据权利要求1所述的I/O插件的上电自检方法,其特征在于,在闪存芯片自检的步骤中,是通过检查软件的CRC校验码的方式对闪存芯片中用于存储软件的地址区域进行检查。

3.根据权利要求1所述的I/O插件的上电自检方法,其特征在于,在插件内部通信通道自检的步骤中,是检查插件各CPU之间的通信通道是否正常。

4.根据权利要求1所述的I/O插件的上电自检方法,其特征在于,在插件通道上电自检的步骤中,是检查输入采集通道是否正常。

5.一种I/O插件的上电自检装置,I/O插件的上电自检装置用于安全计算机平台或列车运行监控系统,装置包括:

SRAM芯片自检模块,用于SRAM芯片自检,通过多次逐地址的读写操作对SRAM芯片的全地址范围进行检查;

闪存芯片自检模块,用于闪存芯片自检;

RAM自检模块,用于CPU片内RAM自检,通过多次逐地址的读写操作对CPU片内的RAM进行检查;

插件通信通道自检模块,用于插件内部通信通道自检;

插件通道上电自检模块,用于插件通道上电自检。

6.根据权利要求5所述的I/O插件的上电自检装置,其特征在于,闪存芯片自检模块是通过检查软件的CRC校验码的方式对闪存芯片中用于存储软件的地址区域进行检查。

7.根据权利要求5所述的I/O插件的上电自检装置,其特征在于,插件通信通道自检模块是检查插件各CPU之间的通信通道是否正常。

8.根据权利要求5所述的I/O插件的上电自检装置,其特征在于,插件通道上电自检模块是检查输入采集通道是否正常。

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