[发明专利]LED芯片抗断裂强度的测试方法及其测试装置在审
| 申请号： | 201510602379.8 | 申请日： | 2015-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN105203393A | 公开（公告）日： | 2015-12-30 |
| 发明（设计）人： | 杨人龙;张平;林笑洁 | 申请（专利权）人： | 厦门三安光电有限公司 |
| 主分类号： | G01N3/08 | 分类号： | G01N3/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | led 芯片 断裂强度 测试 方法 及其 装置 | ||
1.一种LED芯片抗断裂强度的测试方法，包括以下步骤：
（a）准备好长条形的LED芯片作为试样、“凹”字型测试模具、载物台、推拉力测试机以及推刀；
（b）将所述LED芯片置于所述“凹”字型测试模具上，使得LED芯片横跨于“凹”字型测试模具的开口之上；
（c）将所述“凹”字型测试模具固定于所述载物台的中心位置，操作所述推拉力测试机，调整推刀居中垂直于LED芯片上表面，并加载下压力，LED芯片上表面受到压力，当载荷达到一定值时，芯片表面会产生破坏，造成芯片断裂，从而测量出芯片断裂所需施加力F值；
（d）将步骤（c）测量出的F值代入公式模型σf=3FL/2bh2，其中σf为弯曲应力或弯曲强度；F为最大载荷或断裂弯曲载荷；L为“凹”字型测试模具的开口间距；b为LED芯片的短边宽度；h为LED芯片的厚度；
（e）通过上述步骤，即可计算出LED芯片的弯曲强度σf。
2.根据权利要求1所述的一种LED芯片抗断裂强度的测试方法，其特征在于：所述“凹”字型测试模具的开口间距小于所述LED芯片的长边宽度。
3.根据权利要求1所述的一种LED芯片抗断裂强度的测试方法，其特征在于：所述推刀的材质要求为机械硬度大于23MPa，抗弯及抗压强度大于500MPa。
4.根据权利要求1所述的一种LED芯片抗断裂强度的测试方法，其特征在于：所述推刀的刀尖部位直径小于或等于所述LED芯片的短边宽度。
5.根据权利要求1所述的一种LED芯片抗断裂强度的测试方法，其特征在于：所述推刀的刀尖部位直径为4~6mil。
6.一种LED芯片抗断裂强度的测试装置，包括长条形的LED芯片试样、“凹”字型测试模具、载物台、推拉力测试机以及推刀，所述LED芯片横跨于“凹”字型测试模具的开口之上，所述“凹”字型测试模具固定于所述载物台的中心位置，所述推拉力测试机控制推刀居中垂直于LED芯片上表面施加下压力，从而通过推刀单轴加载方式，实现三点弯曲。
7.根据权利要求6所述的一种LED芯片抗断裂强度的测试装置，其特征在于：所述“凹”字型测试模具的开口间距小于所述LED芯片的长边宽度。
8.根据权利要求6所述的一种LED芯片抗断裂强度的测试装置，其特征在于：所述推刀的材质要求为机械硬度大于23MPa，抗弯及抗压强度大于500MPa。
9.根据权利要求6所述的一种LED芯片抗断裂强度的测试装置，其特征在于：所述推刀的刀尖部位直径小于或等于所述LED芯片的短边宽度。
10.根据权利要求6所述的一种LED芯片抗断裂强度的测试装置，其特征在于：所述推刀的刀尖部位直径为4~6mil。
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