[发明专利]一种硅烷偶联剂抑弧的微弧氧化电解质溶液及微弧氧化膜制备方法

权利要求书

1.一种含有硅烷偶联剂的微弧氧化电解质溶液在抑弧上的应用，其特征在于：所述微弧氧化电解质溶液包括基础溶液，在基础溶液中添加有硅烷偶联剂；其中基础溶液由无机盐、氟化物和氢氧化物中的一种、任意两种或三种构成，基础溶液为碱性；所述硅烷偶联剂为氨基硅烷，硅烷偶联剂浓度为0.1-50 ml/L。

2.根据权利要求1所述的含有硅烷偶联剂的微弧氧化电解质溶液在抑弧上的应用，其特征在于：所述无机盐为硅酸盐、磷酸盐、偏铝酸盐中的一种或两种或三种的混合物；所述氟化物为NaF或KF中的一种或两种的混合物；所述氢氧化物为NaOH、KOH中的一种或两种的混合物。

3.根据权利要求1所述的含有硅烷偶联剂的微弧氧化电解质溶液在抑弧上的应用，其特征在于：所述无机盐为硅酸钠，硅酸钠浓度为5-20 g/L；所述氢氧化物为KOH，KOH 浓度为5-20 g/L；所述氟化物为NaF，NaF浓度为1-3 g/L。

4.利用具有抑弧功能的微弧氧化电解质溶液制备镁合金表面微弧氧化膜层的方法，其特征在于：步骤如下，

1）镁合金基体预处理：镁合金基体经碱洗或其它除油工艺处理以去除表面油迹；

2）配制电解质溶液：电解质溶液由权利要求1所述的基础溶液和硅烷偶联剂组成，将硅烷偶联剂按量引入基础溶液中，静置一段时间直至水解完毕，得电解质溶液；

3）微弧氧化处理：将经步骤1）处理的镁合金基体作为阳极或阴极，不锈钢作为对电极，置于步骤2）配制好的电解质溶液中，通过电源的恒压或恒流或恒功率控制，进行微弧氧化处理，所述电源为交流电源或直流电源；其中溶液温度低于50 ℃，氧化时间3-20 min；

4）待氧化完成后取出镁合金基体，并进行冲洗、烘干处理，镁合金表面即得到微弧氧化膜层。

5.根据权利要求4所述的利用具有抑弧功能的微弧氧化电解质溶液制备镁合金表面微弧氧化膜层的方法，其特征在于：所述的镁合金基体是铸造成型或者塑性成型的镁基合金构件。

6.根据权利要求4所述的利用具有抑弧功能的微弧氧化电解质溶液制备镁合金表面微弧氧化膜层的方法，其特征在于：所述电源为恒压控制，其电压范围为230 V-450 V。

7.根据权利要求4所述的利用具有抑弧功能的微弧氧化电解质溶液制备镁合金表面微弧氧化膜层的方法，其特征在于：所述电源为恒流控制，其电流密度范围为5-30 mA/cm²。