[发明专利]干法刻蚀设备的下部电极基台及干法刻蚀设备

说明书

技术领域

本发明涉及刻蚀技术领域，尤其涉及一种干法刻蚀设备的下部电极基台和干法刻蚀设备。

背景技术

在显示技术领域，通常通过干法刻蚀工艺对衬底基板进行刻蚀，以制作相应的图形(patten)。具体地，将待刻蚀的衬底基板置于采用干法刻蚀设备中，利用等离子体放电来去除衬底基板上待刻蚀的材料进行刻蚀。

现有技术中的干法刻蚀设备主要包括：反应腔、位于反应腔内的上部电极和下部电极，位于下部电极上用于放置衬底基板的基台；在具体实施时，将待刻蚀的衬底基板置于下部电极上方的基台上，反应腔内通入等离子气体，将反应腔密闭，为上部电极和下部电极施加电压，二者之间形成电势差，从而促使等离子体向衬底基板运动，对衬底基板进行刻蚀。

图1所示为现有技术干法刻蚀设备的下部电极基台的结构示意图。如图1所示，目前，下部电极上方的基台包括基台基板10和基台基板10表面的表面浮点(Embossing Dot)20和支撑杆(PIN)30，该表面浮点20由氧化铝陶瓷构成。随着下部电极使用时间的增长，表面浮点20上面沉淀的副产物会越来越多，由于从而导致不同位置的表面浮点20处的温度出现差异，由于温度的差异会导致刻蚀速率存在差异，刻蚀效果就存在差异，从而导致压印不良(Embossing Mura)的发生。

目前为了解决上述问题，所采用的方案就是尽量减少印花点与衬底基板的接触面积，例如，将印花点的用于与衬底基板接触的头部做成锯齿状或者股形状等，但是，这样虽然能够改善上述印花不良，却由于氧化铝陶瓷的硬度较高，一般其硬度高于玻璃，当待刻蚀的衬底基板置于硬度较高的表面浮点上时，表面浮点与衬底基板的接触面积过小时，导致衬底基板承受的压强太大，从而导致衬底基板损伤(Glass Broken)。

发明内容

本发明的目的在于提供一种干法刻蚀设备的下部电极基台及干法刻蚀设备，能够在有效改善压印不良的同时，不会造成衬底基板损伤。

本发明所提供的技术方案如下：

一种干法刻蚀设备的下部电极基台，包括：

基台基板；

位于所述基台基板上的多个支撑结构，所述支撑结构包括第一支撑部分和第二支撑部分，所述第一支撑部分和所述第二支撑部分之间具有第一状态和第二状态，其中，

在所述第一状态，所述第一支撑部分的支撑面高于所述第二支撑部分的支撑面，且所述第二支撑部分的支撑面层叠在所述第一支撑部分的支撑面下方；在所述第二状态，所述第二支撑部分的支撑面高于所述第一支撑部分的支撑面，且所述第一支撑部分的支撑面层叠在所述第二支撑部分的支撑面下方；

以及，用于控制所述第一支撑部分和所述第二支撑部分在所述第一状态和所述第二状态之间切换的切换机构，所述第一支撑部分和所述第二支撑部分与所述切换机构连接。

进一步的，所述第一支撑部分包括：设置在所述基台基板上的第一支撑杆；及，连接在所述第一支撑杆的顶端，并至少部分朝所述第二支撑部分所在方向延伸而与所述基台基板平行设置的第一支撑板，所述第一支撑杆和所述第一支撑板之间共同形成朝向所述第二支撑部分所在方向开口的第一容置空间；

所述第二支撑部分包括：设置在所述基台基板上的第二支撑杆；及，连接在所述第二支撑杆的顶端，并至少部分朝所述第一支撑部分所在方向延伸与所述基台基板平行设置的第二支撑板，所述第二支撑杆和所述第二支撑板之间共同形成朝向所述第一支撑部分所在方向开口的第二容置空间；

在所述第一状态，所述第二支撑部分容置于所述第一容置空间内，以使所述第二支撑板层叠在所述第一支撑板下方；

在所述第二状态，所述第一支撑部分容置于所述第二容置空间内，以使所述第一支撑板层叠在所述第二支撑板下方。

进一步的，所述切换机构包括：

与所述第一支撑杆和/或所述第二支撑杆连接的第一平移结构；以及，与所述第一支撑杆和/或所述第二支撑杆连接的第一升降结构；

其中，当控制所述第一支撑部分和所述第二支撑部分在所述第一状态和所述第二状态之间切换时，所述第一平移结构能够在与所述基台基板上在与所述基台基板平行的方向上平移所述第一支撑部分和/或所述第二支撑部分，所述第一升降结构能够在垂直于所述基台基板的方向上升降所述第一支撑部分和/或所述第二支撑部分。

进一步的，所述第一支撑杆与所述第一支撑板之间呈L型结构；所述第二支撑杆与所述第二支撑板之间呈L型结构。