[发明专利]一种单模光纤及其制造方法

权利要求书

1.一种单模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于，芯层为掺锗(Ge)和氟(F)的二氧化硅(SiO2)石英玻璃，芯层的直径Dcore为6.5μm至7.5μm，芯层的相对折射率Δ1的范围为0.70％至0.75％；包层有3个分层，由内到外依次为第一分层、第二分层，第三分层，其中第一分层和第二分层为掺氟二氧化硅石英玻璃，且第二分层的相对折射率低于第一分层；所述包层的直径Dclad的范围为39μm至41μm，所述第一分层紧密环绕芯层，该分层的相对折射率Δ31与芯层的相对折射率Δ1的关系为：0.80％≦Δ1-Δ31≦0.85％，Δ31的范围为-0.09％至-0.12％，该分层的直径D31为15μm至17μm，所述第二分层紧密环绕第一分层，该分层的相对折射率Δ32的范围为-0.30％至-0.34％，该分层的直径D32为20μm至24μm。

2.如权利要求1所述的单模光纤，其特征在于，所述第三分层紧密环绕第二分层，其相对折射率差为-0.05％至0.05％，该分层的直径D33为39μm至41μm。

3.如权利要求1或2所述的单模光纤，其特征在于，在包层外有一层紧密围绕包层的聚合物涂层，聚合物涂层的直径为76μm至84μm。

4.如权利要求1或2所述的单模光纤，其特征在于，该单模光纤的截止波长为1300nm至1460nm。

5.如权利要求1或2所述的单模光纤，其特征在于，该单模光纤的MFD在1550nm波长时为7.0μm-7.6μm。

6.如权利要求1或2所述的单模光纤，其特征在于，该单模光纤的宏弯损耗在1550nm波长时宏弯Φ10nm直径25圈下小于0.02dB，在1550nm波长时宏弯Φ15nm直径400圈下小于0.04dB。

7.一种权利要求1-6中任一项所述单模光纤的制造方法，其特征在于，在拉丝过程降低拉丝张力，将裸光纤在线拉丝张力控制在2到20克，拉丝速度为50到300m/min。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述单模光纤的裸光纤表面在线涂覆聚合物涂层加以保护，聚合物涂层采用紫外光在线固化，其中紫外光的强度为0.5～3J/cm²。