[发明专利]FinFET及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

在半导体衬底上形成半导体鳍状结构；

在鳍状结构的侧面上距离鳍状结构的顶面一定距离处形成掺杂剂层；以及

将掺杂剂层中的掺杂剂推入鳍状结构中，形成穿通阻止层，

其中，所述将掺杂剂层中的掺杂剂推入到鳍状结构中包括：通过热处理，基于扩散来将掺杂剂推入鳍状结构中。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述掺杂剂层以共形方式形成。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在鳍状结构的顶面上以及侧面的上部形成保护层，该保护层露出鳍状结构的侧面的下部，

其中，在露出的侧面上形成掺杂剂层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在形成鳍状结构之后，该方法还包括：

在半导体衬底上形成隔离层，该隔离层露出鳍状结构的一部分，

其中，在隔离层上形成掺杂剂层。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，在形成隔离层之后，该方法还包括：

在鳍状结构被隔离层露出的顶面以及侧面上形成保护层；

将隔离层回蚀一定厚度，以进一步露出鳍状结构的一部分侧面，

其中，在进一步露出的该部分侧面上形成掺杂剂层。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，隔离层被完全回蚀掉。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，掺杂剂层包括在鳍状结构的侧面上延伸的部分以及在半导体衬底的横向表面上延伸的部分。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述半导体器件为N型器件，所述掺杂剂层中包括P型掺杂剂；或者

所述半导体器件为P型器件，所述掺杂剂层中包括N型掺杂剂。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述P型掺杂剂包括B，所述N型掺杂剂包括P或As。

10.根据权利要求1至9之一所述的方法，在形成穿通阻挡层之后，该方法还包括：

跨过鳍状结构形成栅堆叠；以及

在栅堆叠两侧的鳍状结构中形成源区和漏区。

11.一种制造半导体器件的方法，包括：

在半导体衬底上形成半导体鳍状结构；

在鳍状结构的侧面上距离鳍状结构的顶面一定距离处形成掺杂区；以及

将掺杂区中的掺杂剂向内推入鳍状结构中，形成穿通阻止层，

其中，所述将掺杂剂向内推入到鳍状结构中包括：通过热处理，基于扩散来将掺杂剂推入鳍状结构中。

12.根据权利要求11所述的方法，还包括：

在鳍状结构的顶面上以及侧面的上部形成保护层，该保护层露出鳍状结构的侧面的下部，

其中，在露出的侧面上形成掺杂区。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，在形成鳍状结构之后，该方法还包括：

在半导体衬底上形成隔离层，该隔离层露出鳍状结构的一部分；

在鳍状结构被隔离层露出的顶面以及侧面上形成保护层；

将隔离层回蚀一定厚度，以进一步露出鳍状结构的一部分侧面，

其中，在进一步露出的该部分侧面上形成掺杂区。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，隔离层被完全回蚀掉。

15.根据权利要求11所述的方法，其中，掺杂区包括在鳍状结构的侧面上延伸的部分以及在半导体衬底的横向表面上延伸的部分。