[发明专利]光电转换元件以及太阳能电池在审
| 申请号： | 201510598542.8 | 申请日： | 2015-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN105449009A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 芝崎聪一郎;山本和重;平贺广贵;中川直之;山崎六月;齐藤仁美;樱田新哉;稻叶道彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/072 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘凤岭;陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光电 转换 元件 以及 太阳能电池 | ||
1.一种光电转换元件，其特征在于，其至少具有：
下部电极、
在所述下部电极上的中间层、
在所述中间层上的p型光吸收层、以及
在所述p型光吸收层上的n层，
所述下部电极为第1金属膜或者半导体膜，其中，
在所述下部电极为金属膜的情况下，所述中间层包含氧化物膜或者硫化物膜，
在所述下部电极为半导体膜的情况下，所述中间层包含第2金属膜和在所述第2金属膜上的氧化物膜或者硫化物膜。
2.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中，在所述下部电极为金属膜的情况下，所述中间层包含10nm以下的氧化物膜或者硫化物膜。
3.根据权利要求1或2所述的光电转换元件，其中，在所述下部电极为半导体膜的情况下，所述中间层包含10nm以下的第2金属膜和在所述第2金属膜上的10nm以下的氧化物膜或者硫化物膜。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的光电转换元件，其中，所述氧化物膜或者硫化物膜是包含选自Mg、Ca、Al、Ti、Ta和Sr之中的1种以上元素的氧化物或者硫化物的膜。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的光电转换元件，其中，所述第1金属膜是包含Mo或者W的膜。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的光电转换元件，其中，所述第2金属膜是包含Mo或者W的膜。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的光电转换元件，其中，所述半导体膜至少含有氧化铟锡膜。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的光电转换元件，其中，所述半导体膜是层叠有氧化铟锡、和选自SnO2以及TiO2中的任一者或两者的膜。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的光电转换元件，其中，所述p型光吸收层为具有黄铜矿结构、黄锡矿结构或者锌黄锡矿结构的化合物半导体层。
10.一种太阳能电池，其使用光电转换元件而构成，其中，所述光电转换元件为权利要求1～9中任一项所述的光电转换元件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
