[发明专利]磁位置传感器和感测方法

权利要求书

1.一种磁位置传感器(100；200)，包括：

磁场源(110；210)，所述磁场源具有

至少第一多极磁体条(120-1；220-1)，所述至少第一多极磁体条被布置在第一表面上并且具有由第一磁材料形成的磁极；以及

至少第二多极磁体条(120-2；220-2)，所述至少第二多极磁体条被布置在垂直于所述第一表面的第二表面上并且具有由不同于所述第一磁材料的第二磁材料形成的磁极；

其中，所述第一多极磁体条和所述第二多极磁体条被布置在相对于彼此的固定位置中并且包括沿共同长度的不同数量的磁体极(130；132；230；232)；以及

感测位置对于磁场传感器模块保持可用，其中在所述感测位置处第一磁场分量实质上通过第二多极磁体条(120-2，220-2)确定，并且第二磁场分量实质上通过第一多极磁体条(120-1，220-2)确定；

其中所述第一磁场分量和所述第二磁场分量彼此垂直地延伸。

2.根据权利要求1所述的磁位置传感器(100；200)，其中感测到的第一磁场分量和第二磁场分量垂直于在所述感测位置和所述磁场源(110；210)之间的运动方向地延伸。

3.根据权利要求1所述的磁位置传感器(100；200)，其中，所述第一多极磁体条(120-1；220-1)在第一方向上延伸，并且其中所述第二多极磁体条(120-2；220-2)在平行于所述第一方向上的第二方向上延伸。

4.根据权利要求1所述的磁位置传感器(100；200)，其中，所述第一多极磁体条(120-1；220-1)和所述第二多极磁体条(120-2；220-2)两者线性地或圆形地延伸。

5.根据权利要求1所述的磁位置传感器(100；200)，其中，所述第一多极磁体条(120-1；220-1)和所述第二多极磁体条(120-2；220-2)之间的相同磁极性的磁体极分别具有相等的几何维数。

6.根据权利要求1所述的磁位置传感器(100；200)，其中，沿所述共同长度的磁体极对的数量或相同磁极性的磁体极的数量在所述第一多极磁体条(120-1；220-1)与所述第二多极磁体条(120-2；220-2)之间相差一个。

7.根据权利要求1所述的磁位置传感器(100；200)，其中，包括所述第一多极磁体条(120-1；220-1)和所述第二多极磁体条(120-2；220-2)的所述磁场源(110；210)与至少一个磁场传感器(140；240)相对于彼此能够移动。

8.根据权利要求1所述的磁位置传感器(100；200)，其中，所述第一多极磁体条(120-1；220-1)和/或所述第二多极磁体条(120-2；220-2)被布置在至少一个铁磁基底上。

9.根据权利要求1所述的磁位置传感器(100；200)，其中，所述第一多极磁体条(120-1；220-1)和/或所述第二多极磁体条(120-2；220-2)被布置于两个铁磁屏蔽之间。

10.根据权利要求1所述的磁位置传感器(100；200)，其中所述第一多极磁体条和所述第二多极磁体条(120-1；220-1；120-2；220-2)由均匀的磁材料组成。

11.根据权利要求1所述的磁位置传感器(100；200)，还包括：

第一磁场传感器元件，所述第一磁场传感器元件对由所述磁场源(110；210)生成的磁场的第一方向分量敏感；以及

第二磁场传感器元件，所述第二磁场传感器元件对由所述磁场源(110；210)生成的所述磁场的第二方向分量敏感，所述第一方向分量和所述第二方向分量彼此垂直。