[发明专利]一种太赫兹脉宽调制器装置及调制方法在审
| 申请号： | 201510593330.0 | 申请日： | 2015-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN105116565A | 公开（公告）日： | 2015-12-02 |
| 发明（设计）人： | 申彦春;赵国忠;王佳;张新群 | 申请（专利权）人： | 首都师范大学 |
| 主分类号： | G02F1/01 | 分类号： | G02F1/01 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100048*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 赫兹 脉宽调制 装置 调制 方法 | ||
1.一种太赫兹脉宽调制器装置，其特征在于：包括太赫兹波源(1)、准直系统(2)、高阻硅片(3)、可调谐氩离子激光器(4)、太赫兹波探测器(5)、A/D转换器(6)和计算机(7)；
所述太赫兹波源(1)依次连接准直系统(2)、高阻硅片(3)、太赫兹波探测器(5)、A/D转换器(6)和计算机(7)；
所述可调谐氩离子激光器(4)与太赫兹波探测器(5)并接在高阻硅片(3)和A/D转换器(6)之间。
2.根据权利要求1所述的一种太赫兹脉宽调制器装置，其特征在于：所述的太赫兹波源(1)为返波振荡器、量子级联激光器或co2激光抽运连续波太赫兹辐射源。
3.根据权利要求1所述的一种太赫兹脉宽调制器装置，其特征在于：所述的太赫兹波源(1)工作频率为0.1THz-8THz。
4.根据权利要求1所述的一种太赫兹脉宽调制器装置，其特征在于：所述的准直系统(2)为开普勒型或伽利略型准直系统。
5.根据权利要求1所述的一种太赫兹脉宽调制器装置，其特征在于：所述的高阻硅片(3)厚度h＝400μm，半径r＝25mm，电阻率10000Ωcm。
6.根据权利要求1所述的一种太赫兹脉宽调制器装置，其特征在于：所述的可调谐氩离子激光器(4)工作波长514nm，光束直径0.75mm，功率2W。
7.根据权利要求1所述的一种太赫兹脉宽调制器装置，其特征在于：所述的太赫兹波探测器(5)为焦平面阵列探测器。
8.一种太赫兹脉宽调制器调制方法，包括以下步骤：
a.太赫兹波源(1)发射出太赫兹信号，经准直系统(2)后到达高阻硅片(3)；
b.透过高阻硅片(3)的太赫兹信号经太赫兹波探测器(5)和A/D转换器(6)输入到计算机(7)；
c.通过太赫兹波探测器(5)自带软件对脉宽调制信号在计算机(7)上实时显示；
d.通过可调谐氩离子激光器(4)是否照射到高阻硅片上，实现对太赫兹波的开、关控制，进而实现脉宽调制。
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