[发明专利]一种扫描程式运用阈值修正进行晶圆检测的方法有效
申请号: | 201510591333.0 | 申请日: | 2015-09-17 |
公开(公告)号: | CN105280512B | 公开(公告)日: | 2018-02-27 |
发明(设计)人: | 郭贤权;姬峰;陈昊瑜;陈超 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人: | 吴世华,陈慧弘 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 扫描 程式 运用 阈值 修正 进行 检测 方法 | ||
1.一种扫描程式运用阈值修正进行晶圆检测的方法,其特征在于,包括:
步骤S01:利用一扫描机台建立一扫描程式,并根据设定的待检测晶圆的扫描程式信息,计算得到允许的各扫描行缺陷数目最大值;
步骤S02:进行晶圆扫描,并在扫描程式中将获得的每个扫描行实际缺陷数目与其对应的扫描行缺陷数目最大值进行数值大小的比较;其中,在晶圆扫描过程中,根据扫描阈值对扫描图像的灰度差异值进行判断,当超过阈值时即认为是缺陷,得到每个扫描行的实际缺陷数目;
步骤S03,当出现若干第一连续的扫描行实际缺陷数目都分别大于其对应的扫描行缺陷数目最大值时,在所述扫描程式中通过调高阈值的设定值,以使该阈值满足能够使得该第一连续的扫描行中最后一扫描行实际缺陷数目减少到等于或小于其对应的扫描行缺陷数目最大值条件,然后,使用该调高后的阈值进行自后一扫描行开始的扫描;
步骤S04:当再出现若干第二连续的扫描行实际缺陷数目都分别大于其对应的扫描行缺陷数目最大值时,重复步骤S03,直至完成整片晶圆的完全扫描。
2.根据权利要求1所述的扫描程式运用阈值修正进行晶圆检测的方法,其特征在于,所述扫描程式信息包括总缺陷数目最大值、扫描行数及各扫描行长度。
3.根据权利要求1所述的扫描程式运用阈值修正进行晶圆检测的方法,其特征在于,所述扫描行缺陷数目最大值Cn满足:
Cn=QLn
其中,Q=M/∑Ln
其中,M代表总缺陷数目最大值,n代表扫描行数,Ln代表扫描行长度,Q代表单位长度缺陷数目最大值,所述扫描程式信息包括M、n、Ln。
4.根据权利要求1所述的扫描程式运用阈值修正进行晶圆检测的方法,其特征在于,在完成整片晶圆的完全扫描后,在所述扫描程式中记录下晶圆上阈值更改的位置和数值,以得到整片晶圆的扫描阈值分布图,并进一步得到对应的完全的缺陷分布图。
5.根据权利要求1所述的扫描程式运用阈值修正进行晶圆检测的方法,其特征在于,所述第一连续的扫描行的行数大于或等于第二连续的扫描行的行数。
6.根据权利要求1或5所述的扫描程式运用阈值修正进行晶圆检测的方法,其特征在于,所述第一、第二连续的扫描行的行数为2~5。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造