[发明专利]一种缩短扩散工艺时间增加扩散产能的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种缩短扩散工艺时间增加扩散产能的方法，属于光伏技术领域。

背景技术

随着现代工业化的发展，不可再生能源日益减少，能源问题越来越成为制约国际社会经济发展的瓶颈，很多国家开始实行“阳光计划”，开发太阳能资源，为经济发展提供新的发展动力。在国际光伏市场巨大潜力的推动下，各国的太阳能电池制造商不仅竞相投入巨资，扩大生产，还纷纷建立研发机构，研发新的太阳能电池项目，提高产品的质量和转换效率。

在竞争激烈的光伏行业，提高转换效率和降低生产成本成为光伏制造商的两大核心目标。扩散工序是光伏电池制造的核心工序。扩散工艺时间较长，降低扩散工艺时间，可以在同样的时间内提升产量，降低产品成本，提升产品竞争力。

发明内容

本发明的目的在于提供一种缩短扩散工艺时间增加扩散产能的方法，将扩散后氧化步、推进步和冷却步的的时间适当降低，适当增加扩散温度，降低扩散工艺时间，提升扩散产能，降低产品成本，同时光电转换效率也没有下降。

一种缩短扩散工艺时间增加扩散产能的方法，使用的硅片是电阻率为0.5~3Ω?cm的156mm×156mm规格的P型多晶硅片，常规酸制绒后再进行扩散，扩散设备采用荷兰TEMPRESS扩散炉，具体步骤为：

（1）进入：温度815℃，大N₂流量5slm，O₂流量0sccm，小N₂流量0sccm，压力15Pa，时间8min；

（2）进桨：温度815℃，大N₂流量5slm，O₂流量0sccm，小N₂流量0sccm，压力15Pa，时间8min；

（3）检漏：温度815℃，大N₂流量6.5slm，O₂流量0sccm，小N₂流量0sccm，压力-200Pa，时间5min；

（4）升温：温度815℃，大N₂流量9.0slm，O₂流量0sccm，小N₂流量0sccm，压力10Pa，时间15min；

（5）前氧化：温度805℃，大N₂流量12.0slm，O₂流量1000sccm，小N₂流量0sccm，压力10Pa，时间2min；

（6）沉积：温度805℃，大N₂流量12.0slm，O₂流量350sccm，小N₂流量950sccm，压力10Pa，时间15min；

（7）后氧化：温度825℃，大N₂流量12.0slm，O₂流量500sccm，小N₂流量50sccm，压力10Pa，时间8min；

（8）推进：温度845℃，大N₂流量12.0slm，O₂流量4500sccm，小N₂流量0sccm，压力10Pa，时间9min；

（9）冷却：温度800℃，大N₂流量12.0slm，O₂流量0sccm，小N₂流量0sccm，压力10Pa，时间1min；

（10）进桨：温度800℃，大N₂流量5.0slm，O₂流量0sccm，小N₂流量0sccm，压力5Pa，时间8min；

（11）退出：温度800℃，大N₂流量5.0slm，O₂流量0sccm，小N₂流量0sccm，压力5Pa，时间13min。

一种缩短扩散工艺时间增加扩散产能的方法，优化扩散后氧化、推进和冷却的时间，在不降低转换效率的情况下缩短扩散工艺时间，提升扩散产能，降低成本。

具体实施方式

以下所述的仅是本发明所公开的一种缩短扩散工艺时间增加产能的优选实施方式，应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。

实施例1，

一种缩短扩散工艺时间增加扩散产能的方法，扩散设备采用荷兰TEMPRESS扩散炉，具体步骤为：