[发明专利]薄膜晶体管的制造方法

说明书

一种薄膜晶体管的制造方法至少包括下列步骤。在基板上依序形成半导体层、金属层与辅助层。在金属层及辅助层位于半导体层上方的情况下，对半导体层进行结晶程序以形成有源层。于形成有源层后，图案化金属层以形成源极与漏极。形成栅极绝缘层以及形成栅极。栅极绝缘层位于栅极以及源极与漏极之间。

【技术领域】

本发明是关于一种有源元件的制造方法，且特别是关于一种薄膜晶体管的制造方法。

【背景技术】

近来环保意识抬头，具有低消耗功率、空间利用效率佳、无辐射、高画质等优越特性的平面显示面板(flat display panels)已成为市场主流。常见的平面显示器包括液晶显示器(liquid crystal displays)、等离子显示器(plasma displays)、有机电激发光显示器(electroluminescent displays)等。

以目前最普及的液晶显示器为例，液晶显示器主要是由像素阵列基板、彩色滤光基板以及夹设于二者之间的液晶层所构成。在已知的像素阵列基板上，多采用薄膜晶体管作为各个像素结构的切换元件，而切换元件的性能多取决于薄膜晶体管的有源层的品质好坏。薄膜晶体管的有源层(例如：金属氧化物半导体)容易在图案化源极与漏极的过程中或被外界水气损伤，而不利于薄膜晶体管的品质。为改善此问题，在已知的薄膜晶体管制造方法中，先在薄膜晶体管的有源层上形成蚀刻阻挡层，之后再图案化蚀刻阻挡层上方的金属层，以形成薄膜晶体管的源极与漏极。借此，无论是利用湿式或干式蚀刻程序图案化出源极与漏极，湿式蚀刻的蚀刻液或干式蚀刻的等离子都不易损伤薄膜晶体管的有源层。此外，由于蚀刻阻挡层覆盖至少部分的有源层的面积，因此水气接触有源层的几率降低，进而减少了非晶态的有源层因水气影响而劣化成导体的几率。然而，蚀刻阻挡层的设置却造成像素阵列基板的开口率下降、薄膜晶体管的制造成本提高等问题。

【发明内容】

本发明提供一种薄膜晶体管，具高品质且成本低。

本发明的薄膜晶体管的制造方法，包括下列步骤：在基板上依序形成半导体层、金属层以及辅助层；在金属层以及辅助层位于半导体层上方的情况下，对半导体层进行一结晶程序，以形成有源层；于形成有源层后，图案化金属层，以形成源极与漏极；形成栅极；以及形成栅极绝缘层，其中栅极绝缘层位于栅极以及源极与漏极之间。

基于上述，在本发明一实施例的薄膜晶体管制造方法中，在图案化金属层以形成源极与漏极之前，利用一结晶程序形成具有结晶成份的有源层。利用所述结晶成份的抗蚀刻特性，有源层在图案化金属层的过程中不易受到蚀刻液的损伤，进而能够制造出高品质且低成本的薄膜晶体管。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。

【附图说明】

图1为本发明一实施例的薄膜晶体管制造方法的流程示意图。

图2A～图2E为本发明一实施例的薄膜晶体管制造方法的剖面示意图。

图3示出本发明一实施例的有源层的X射线绕射(X-ray Diffraction；XRD)图谱。

图4A～图4D为本发明另一实施例的薄膜晶体管制造方法的剖面示意图。

【符号说明】

10：基板

110：半导体层

110a：顶面

110b：侧壁

120：金属层

130：辅助层

CH：有源层

D：漏极

G：栅极