[发明专利]基于ZnO纳米棒/CH3NH3PbI3/MoO3结构的自驱动光电探测器及其制备方法有效
| 申请号: | 201510585551.3 | 申请日: | 2015-09-15 |
| 公开(公告)号: | CN105304747B | 公开(公告)日: | 2018-02-06 |
| 发明(设计)人: | 王浩;喻继超;周海;张军 | 申请(专利权)人: | 湖北大学 |
| 主分类号: | H01L31/101 | 分类号: | H01L31/101;H01L31/0296;H01L31/18;B82Y30/00 |
| 代理公司: | 武汉河山金堂专利事务所(普通合伙)42212 | 代理人: | 丁齐旭 |
| 地址: | 430062 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基于 zno 纳米 ch sub nh pbi moo 结构 驱动 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
1.一种基于ZnO纳米棒/CH3NH3PbI3结构的自驱动光电探测器的制备方法,其特征在于步骤为:
(1)FTO的预处理:将FTO玻璃片切成面积为2cm×2cm的正方形玻璃样片,依次用去离子水,丙酮,酒精,去离子水进行超声清洗,再用紫外臭氧剂UV清洗15min;
(2)ZnO种子层的制备:以甲醇为溶剂,配制5mmol/L的醋酸锌Zn(CH3COO)2溶液,搅拌5分钟,然后开始在FTO玻璃样片上旋涂,旋涂的转速为3000r/min,时间为15s,在100℃条件下烘干10分钟,然后转移到马弗炉中退火2h;
(3)ZnO纳米棒的制备:在生长有ZnO种子层FTO玻璃样片上,用水浴法生长ZnO纳米棒,水浴溶液成分为50mmol/L的六水硝酸锌Zn(NO3)2·6H2O、30mmol/L的六次甲基四铵C6H12N4和0.6g的聚醚酰亚胺PEI,同时利用氨水将溶液的PH值控制在10.6-10.8范围内,水浴的温度为85℃-90℃,根据不同棒长需求来控制水浴的时间,水浴结束后,先后用去离子水和酒精冲洗,去除表面的杂物,最后转移到马弗炉中退火处理2h;
(4)两步法合成钙钛矿层CH3NH3PbI3:
第一步是旋涂PbI2,即以N,N-二甲基甲酰胺DMF为溶剂,配制1mmol/L的PbI2溶液,在70℃的恒温条件下搅拌4h,然后采用旋涂法将PbI2甩在ZnO纳米棒上,旋涂转速为3000r/min,时间为15s,旋涂好后放置在烘干台上烘烤5min;
第二步是PbI2与碘甲胺反应合成钙钛矿,即以甲胺和氢碘酸为原料在低温下采用旋转蒸发法制备CH3NH3I晶体,并在乙醇与乙醚溶剂中进行重结晶;再以异丙醇为溶剂,配制0.1g/10ml的CH3NHI溶液,然后将烘干后上面已经旋有PbI2的FTO样片放在溶液中浸泡40s,然后再在烘干台上烘烤10min;
(5)制备空穴传输层:采用蒸镀的方法,将半导体氧化物MoO3镀到钙钛矿层上面,蒸镀时保持10-4的真空度,蒸镀的速率控制在0.1埃/秒,蒸镀的MoO3厚度为12nm;
(6)对电极的制备:以Au为电极材料,采用蒸镀的方法,在空穴传输层上蒸镀一层Au,蒸镀的速率控制在0.8埃/秒,蒸镀的Au的厚度为40nm;
至此,即可制作成一个完整光电探测器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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