[发明专利]高压金属氧化物半导体晶体管元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510585089.7 | 申请日： | 2015-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN106531794B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 萧世楹;张凯焜 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高压 金属 氧化物 半导体 晶体管 元件 及其 制造 方法 | ||
【说明书】：
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