[发明专利]薄膜晶体管阵列基板有效
| 申请号: | 201510584742.8 | 申请日: | 2015-09-15 |
| 公开(公告)号: | CN105244354B | 公开(公告)日: | 2018-07-06 |
| 发明(设计)人: | 虞晓江 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/522 |
| 代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 透明导电层 基板 绝缘层 薄膜晶体管阵列基板 第一表面 像素电极 薄膜晶体管阵列 孔洞 第二表面 孔洞设置 相对设置 | ||
1.一种薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述薄膜晶体管阵列基板包括:
基板,所述基板包括相对设置的第一表面及第二表面;
透明导电层,对应所述基板的所述第一表面设置,包括至少一孔洞;
绝缘层,设置在所述透明导电层上;
像素电极,设置在所述绝缘层上,且所述像素电极对应所述透明导电层的孔洞设置,所述透明导电层包括第一孔洞及第二孔洞,所述第一孔洞及所述第二孔洞间隔设置,所述像素电极包括第一电极部分及第二电极部分,所述第一电极部分对应所述第一孔洞设置,所述第二电极部分对应所述第二孔洞设置。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述孔洞为条形孔洞。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述第一孔洞的宽度大于或等于所述第一电极部分的宽度,所述第二孔洞的宽度大于或等于所述第二电极部分的宽度。
4.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述像素电极还包括连接部,所述第一电极部分包括相对设置的第一端及第二端,所述第二电极部分包括相对设置的第三端及第四端,所述第一端及所述第三端连接所述连接部,所述第二端及所述第四端相连。
5.如权利要求4所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述透明导电层包括第三孔洞,所述第三孔洞对应所述连接部设置。
6.如权利要求5所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述连接部在所述第一表面上的投影落在所述第三孔洞在所述第一表面上的投影内。
7.如权利要求6所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述薄膜晶体管阵列基板还包括薄膜晶体管阵列及平坦层,所述薄膜晶体管阵列及所述平坦层层叠设置,所述薄膜晶体管阵列及所述平坦层设置在所述基板的第一表面及所述透明导电层之间,所述薄膜晶体管阵列相较于所述平坦层邻近所述第一表面设置,所述平坦层相较于所述薄膜晶体管阵列邻近所述透明导电层设置,所述平坦层上设置通孔,所述薄膜晶体管通过所述通孔与所述像素电极电连接。
8.如权利要求7所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述通孔在所述第一表面上的投影落在所述第三孔洞在所述第一表面上的投影内。
9.如权利要求7所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述薄膜晶体管阵列基板还包括缓冲层,所述薄膜晶体阵列通过所述缓冲层设置在所述基板的第一表面上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





