[发明专利]一种用于多点低压差分信号接收器的共模搬移电路

说明书

技术领域

本发明涉及IC设计技术领域，具体涉及一种用于多点低压差分信号接收器的共模搬移电路。

背景技术

随着大数据时代的来临，数据的快速处理以及高速传输成为关注的热点。在这种大背景下，接口却成为制约着数据高速传输的瓶颈。作为RS482在速度与功能上的升级，由TI公司提出的MLVDS(Multi-pointLow-VoltageDifferentialSignaling，多点低压差分信号)技术应运而生。MLVDS技术拥有LVDS技术传输速度高、抗噪声能力强、功耗低、低电磁辐射等诸多优点，并且能应用于多点总线系统，完成多个驱动器与多个接收器之间的互相通信。

M-LVDS标准要求，接收器应能识别共模范围为-1.4V～3.8V的低压差分信号，为了实现这一功能，需要利用压缩网络将输入信号压缩至0V～VDD范围之内，再利用轨到轨放大器对压缩后的信号进行处理，在使用压缩网络同时有用的差模信号也被压缩了，这样势必会降低接收器的信噪比，同时仍需要设计复杂的轨到轨放大器将压缩后的信号进行处理，是现有技术中亟待解决的问题。

发明内容

因此，本发明提出了一种用于多点低压差分信号接收器的共模搬移电路，能将共模在-1.4V～3.8V的输入信号搬移至参考电平，同时不影响信号差分幅值，极大地简化了M-LVDS接收器后级电路的设计。该电路包括：

第一电阻、第二电阻；

电流调整电路，所述电流调整电路由第三、第四电阻，第一、第二、第三晶体管以及第四、第五、第六晶体管；其中，第二、第五晶体管栅极和漏极短接；第一、第二、第三晶体管栅极相连，源端接地；第四、第五、第六晶体管栅极相连，源端接电源电压；第一晶体管与第四晶体管的漏端与第一电阻相连；第三、第四电阻串联接在第二晶体管的漏端与第五晶体管的漏端之间；第三晶体管与第六晶体管的漏端与第二电阻相连；以及

误差放大器，所述误差放大器的差模输入端连接参考电平，共模输入端连接第一、第三晶体管的漏端。

其中，所述第一、第二、第三晶体管具有相等的尺寸，所述第四、第五、第六晶体管具有相等的尺寸。

其中，所述第一电阻和第二电阻的阻值相等。

其中，所述第三电阻和第四电阻的阻值相等。

其中，所述误差放大器包括：第七、第八、第九、第十、第十一晶体管以及第一、第二电流源；其中，

第七晶体管的栅极与第一、第四晶体管的漏端相连，漏极接地；第十晶体管的栅极与第三、第六晶体管的漏端相连，漏极接地；第八、第九晶体管的栅极与参考电平相连；第十一晶体管的栅极和漏极短接后与第八、第九晶体管的漏极相连，并连接到串联的第三、第四电阻之间，源极接地。

本发明利用输入电阻、误差放大器、以及电流调整电路构成一共模搬移电路。误差放大器读取输出信号的共模电平，与参考电平进行比较，放大之后控制电流调整电路从输入电阻抽取或者灌入电流，产生一定压降从而将不同输入信号共模电平搬移到和参考电平一致的位置上。后级电路只需要单一的N输入放大器或者P输入放大器就可以对信号进行放大。简化了电路设计，降低了功耗。同时电路不会对输入信号差分值产生影响，系统信噪比高于使用压缩网络的接收器。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1为本发明的共模搬移电路结构图。

图2为本发明一个实施例中的共模搬移电路原理图。

图3为对应图1电路的共模信号半边等效电路。

图4为对应图1电路的差分信号半边等效电路和小信号等效电路。

附图中相同或相似的附图标记代表相同或相似的部件。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的实施例作详细描述。

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能解释为对本发明的限制。

下文的公开提供了许多不同的实施例或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本发明。