[发明专利]像素结构及其制造方法

权利要求书

1.一种像素结构，其特征在于，包含：

一基板；以及

多个像素单元，位于该基板上，其中各该像素单元包含：

一像素电路结构层，形成于该基板的表面；

一像素定义层，形成于该像素电路结构层上，且像素定义层具有一第一开口与一第二开口；

一像素电极，位于该第一开口与该第二开口中，且与该像素电路结构层电性连接；

一无机发光二极管次像素，具有一无机发光二极管，该无机发光二极管包含：

一粘着层，设置于该第一开口内的该像素电极上；

一第一半导体层，设置于该粘着层上；以及

一第二半导体层，设置于该第一半导体层上；以及

一第一有机发光二极管次像素，具有一第一有机发光二极管，该第一有机发光二极管包含：

一第一传输层，设置于该第二开口内的该像素电极上；以及

一第二传输层，设置于该第一传输层上；

其中，该无机发光二极管次像素与该第一有机发光二极管次像素所发出的光线颜色不同。

2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，各该像素单元还包含：

一第二有机发光二极管次像素，具有一第二有机发光二极管，其中该无机发光二极管次像素、该第一有机发光二极管次像素以及该第二有机发光二极管次像素，三者所发出的光线颜色均不相同。

3.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该无机发光二极管发出的光线颜色为蓝色。

4.如权利要求2所述的像素结构，其特征在于，该无机发光二极管、该第一有机发光二极管以及该第二有机发光二极管之间的一发光效率差值比率≦67％，该发光效率差值比率为该无机发光二极管、该第一有机发光二极管以及该第二有机发光二极管之间，[(最大发光效率-最小发光效率)/最小发光效率]×100％。

5.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该无机发光二极管具有一出光面，该像素定义层具有背对该基板的一顶面，且由该基板至该无机发光二极管的该出光面的一无机发光二极管垂直高度，小于或等于由该基板至该像素定义层的该顶面的一像素定义层垂直高度。

6.一种像素结构的制造方法，其特征在于，包含：

提供一基板；

形成一像素电路结构层于该基板上；

形成一像素定义层于该像素电路结构层上；

图案化该像素定义层，以形成一第一开口与一第二开口，并由该第一开口与该第二开口露出部分该像素电路结构层；

形成一像素电极于该第一开口与该第二开口；

设置至少一无机发光二极管于该第一开口中，其中该无机发光二极管利用一粘着层设置于该像素电极上；以及

形成一有机发光二极管于该第二开口中，其中该有机发光二极管在该无机发光二极管之后形成。

7.如权利要求6所述的像素结构的制造方法，其特征在于，形成该有机发光二极管的步骤包含至少一道蒸镀工艺或至少一道喷墨列印工艺。

8.如权利要求7所述的像素结构的制造方法，其特征在于，形成该无机发光二极管的步骤包含：

利用至少一微机械装置将该无机发光二极管转置至该基板上方。