[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体地，涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置。

背景技术

液晶显示器得到了广泛的应用，液晶显示器包括阵列基板和彩膜基板，以及位于阵列基板和彩膜基板之间的液晶层，通过阵列基板或彩膜基板上的电极之间产生的电场来控制液晶分子的偏转实现显示功能。根据产生电场的电极的布置不同可以把液晶显示器分为TN型(TwistedNematic,扭曲向列)或ADS型(ADvancedSuperDimensionSwitch,高级超维场转换技术,简称ADS)。

TN型液晶显示器的阵列基板包括显示区域和周边区域，其中，显示区域用于设置像素单元和对像素单元进行控制的薄膜晶体管，周边区域用于设置各种信号走线，信号走线为驱动薄膜晶体管提供控制信号。

TN型显示器的结构示意图如图1所示，在周边区域的阵列基板和彩膜基板之间设有封框胶8，其中，封框胶8中含有金球81，该金球81用于将阵列基板上的公共电极信号传递到位于彩膜基板上的公共电极9上。

在周边区域的阵列基板玻璃1上设置与栅极同层布置的公共电极走线2、栅极走线21；在栅极金属层上设置栅极绝缘层3，在栅极绝缘层3上设置与源漏极同层布置的数据走线4；在栅极层上设置钝化层5，在钝化层5上设置与像素电极6同层布置的连接层61，其中，连接层61通过位于钝化层5的第二过孔和位于栅极绝缘层3中的第一过孔与公共电极走线2连接，这样公共电极信号从公共电极走线2经连接层61、金球81传递至位于彩膜基板上的公共电极9上。

在彩膜基板的彩膜基板玻璃13上设有彩膜层，彩膜层包括间隔设置的像素12，像素12之间设有黑矩阵11，在彩膜层上设置绝缘层平坦层10，在绝缘层平坦层10上设置公共电极9，在公共电极9上设置取向层7。

随着液晶面板向大型化、高精细化、高频率以及3D显示等方向的发展，业界需要开发低电阻的栅线、数据线、薄膜晶体管的源漏极及管脚等电极材料。由于电极材料电阻的减小，降低了阻抗容抗(RC)延迟，栅线和数据线尺寸可以制作得更精细，提高了开口率。由于金属铜的电阻仅为2μΩ·cm，因此，其目前已经成为电极材料的首选。

如图1所示，TN型显示器采用当铜作为电极材料时，其质较软，抗压能力差同时易被氧化。进行信赖性评价时易产生走线不良，尤其当前主流的窄边框设计的周边区域的空间很小时，需将电极信号走线在栅极层和源漏极层金属(栅极层和源漏极层均采用铜材料)上交替布线；阵列基板周边区域(像素12区外)的栅极走线21、数据线走线4和公共电极走线2被封框胶8覆盖区域，封框胶8中包含有金球81。由于钝化层5比较脆弱，同时，信号走线(栅极走线21、公共电极走线2或数据线走线4)是采用抗压比较差的铜制作，在封框胶8受到挤压时，金球81会造成栅极走线21和公共电极走线2短路，或数据线走线4和公共电极走线2短路，从而严重影响产品的质量。

如果增加钝化层5的厚度虽可以改善此不良，但根据存储电容公式Cst＝εS/d，降低存储电容，会增加漏电率，影响显示效果，同时也会增加镀膜成本和刻蚀过孔所需的时间。

而对于ADS型显示器，如图2所示，与图1不同的是，彩膜基板上不用设置公共电极9，公共电极9设置在阵列基板上，此时，狭缝状的公共电极9和像素电极6之间形成电场控制液晶分子的偏转，进而实现显示。

此时，封框胶8中依然包含有硅球82或类似的作为支撑的玻璃纤维。由于钝化层5比较脆弱，同时，信号走线(栅极走线21、公共电极走线2或数据线走线4)是采用抗压比较差的铜制作，在封框胶8受到挤压时，硅球82会造成封框胶8对应的区域的钝化层5和信号走线发生断裂，从而严重影响产品的质量。

发明内容

解决上述问题所采用的技术方案是一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置。

本发明提供的一种阵列基板，包括显示区域和周边区域，所述周边区域设置有信号走线，在周边区域的预设区域设置有保护层，所述预设区域至少包括设置有信号走线的区域。

可选的，所述保护层是采用金属或金属氧化物制备的。

可选的，所述金属氧化物包括氧化铟锡或氧化铟锌。

可选的，所述阵列基板的周边区域设置有栅极金属层、栅极绝缘层、源漏金属层、钝化层及所述保护层。

可选的，所述阵列基板的显示区域设置有栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、源漏金属层、钝化层及像素电极，所述保护层与所述像素电极同层绝缘布置。

可选的，所述信号走线分布于所述源漏金属层和/或栅极金属层中。