[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201510579330.5 | 申请日： | 2015-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN105428333B | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 小原太一 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/367 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 何立波,张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其具备：
绝缘基板；
电路图案，其与所述绝缘基板的第1主面接合，在与该第1主面接合的接合面的相反侧的面，接合半导体元件；
背面图案，其与所述绝缘基板的第2主面接合；以及
散热板，其接合于所述背面图案的与所述第2主面接合的接合面的相反侧的面，
所述电路图案的角部的曲率半径大于所述背面图案的角部的曲率半径，
所述电路图案的角部与所述背面图案的角部相比在俯视时位于内侧，
所述绝缘基板的角部进行了切角。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述电路图案以及所述背面图案包含铜。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述电路图案以及所述背面图案包含铝。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述电路图案以及所述背面图案利用钎焊材料与所述绝缘基板进行接合。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述电路图案以及所述背面图案与所述绝缘基板直接进行接合。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述绝缘基板由氮化铝构成。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述绝缘基板由氮化硅构成。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述半导体元件是碳化硅半导体元件。
9.一种半导体装置，其具备：
绝缘基板；
电路图案，其与所述绝缘基板的第1主面接合，在与该第1主面接合的接合面的相反侧的面，接合半导体元件；
背面图案，其与所述绝缘基板的第2主面接合；以及
散热板，其接合于所述背面图案的与所述第2主面接合的接合面的相反侧的面，
所述电路图案的角部的曲率半径大于所述背面图案的角部的曲率半径，
所述电路图案的角部与所述背面图案的角部相比在俯视时位于内侧，
所述绝缘基板的角部的轮廓为曲线状。
10.一种半导体装置，其具备：
绝缘基板；
电路图案，其与所述绝缘基板的第1主面接合，在与该第1主面接合的接合面的相反侧的面，接合半导体元件；
背面图案，其与所述绝缘基板的第2主面接合；以及
散热板，其接合于所述背面图案的与所述第2主面接合的接合面的相反侧的面，
所述电路图案的角部形成为折线状，
所述电路图案的角部与所述背面图案的角部相比在俯视时位于内侧。
11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，
所述绝缘基板的角部进行了切角。
12.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，
所述绝缘基板的角部的轮廓为曲线状。
13.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，
所述电路图案以及所述背面图案包含铜。
14.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，
所述电路图案以及所述背面图案包含铝。
15.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，
所述电路图案以及所述背面图案利用钎焊材料与所述绝缘基板进行接合。
16.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，
所述电路图案以及所述背面图案与所述绝缘基板直接进行接合。
17.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，
所述绝缘基板由氮化铝构成。
18.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，
所述绝缘基板由氮化硅构成。
19.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，
所述半导体元件是碳化硅半导体元件。
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