[发明专利]一种像素电路、其驱动方法及相关装置在审
申请号: | 201510575125.1 | 申请日: | 2015-09-10 |
公开(公告)号: | CN105185305A | 公开(公告)日: | 2015-12-23 |
发明(设计)人: | 王博;玄明花;马占洁 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | G09G3/32 | 分类号: | G09G3/32 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 像素 电路 驱动 方法 相关 装置 | ||
1.一种像素电路,其特征在于,包括:第一复位模块、数据写入模块、补偿模块、稳压模块、驱动控制模块、发光控制模块和发光器件;其中,
所述第一复位模块的控制端与第一复位控制信号端相连,第一输入端分别与所述驱动控制模块的输入端和第一参考信号端相连,第二输入端与初始化信号端相连,第一输出端分别与所述稳压模块的第一端、所述数据写入模块的输出端和所述发光控制模块的第一输出端相连,第二输出端分别与所述稳压模块的第二端、所述驱动控制模块的控制端和所述补偿模块的输出端相连;所述第一复位模块用于在所述第一复位控制信号端的控制下,对所述稳压模块的第一端和第二端的电位进行复位;
所述数据写入模块的控制端与写入控制信号端相连,输入端与数据信号端相连;所述数据写入模块用于在所述写入控制信号端的控制下,将所述数据信号端的信号提供给所述稳压模块的第一端;
所述补偿模块的控制端与补偿控制信号端相连,输入端分别与所述驱动控制模块的输出端和所述发光控制模块的第二输入端相连;所述补偿模块用于在所述补偿控制信号端的控制下,将所述驱动控制模块的阈值电压储存在所述稳压模块中;
所述发光控制模块的控制端与发光控制信号端相连,第一输入端与第三参考信号端相连,第二输出端与所述发光器件的第一端相连,所述发光器件的第二端与第二参考信号端相连;所述发光控制模块用于在所述发光控制信号端的控制下,与所述稳压模块共同控制所述驱动控制模块驱动所述发光器件发光。
2.如权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述驱动控制模块,具体包括:驱动晶体管;其中,
所述驱动晶体管,其栅极为所述驱动控制模块的控制端,第一电极为所述驱动控制模块的输入端,第二电极为所述驱动控制模块的输出端。
3.如权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述第一复位模块,具体包括:第一开关晶体管和第二开关晶体管;其中,
所述第一开关晶体管,其栅极与所述第二开关晶体管的栅极相连,为所述第一复位模块的控制端,第一电极为所述第一复位模块的第一输入端,第二电极为所述第一复位模块的第一输出端;
所述第二开关晶体管,其第一电极为所述第一复位模块的第二输入端,第二电极为所述第一复位模块的第二输出端。
4.如权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述数据写入模块,具体包括:第三开关晶体管;其中,
所述第三开关晶体管,其栅极为所述数据写入模块的控制端,第一电极为所述数据写入模块的输入端,第二电极为所述数据写入模块的输出端。
5.如权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述补偿模块,具体包括:第四开关晶体管;其中,
所述第四开关晶体管,其栅极为所述补偿模块的控制端,第一电极为所述补偿模块的输入端,第二电极为所述补偿模块的输出端。
6.如权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述稳压模块,具体包括:电容;其中,
所述电容的第一电极板为所述稳压模块的第一端,所述电容的第二电极板为所述稳压模块的第二端。
7.如权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述发光控制模块,具体包括,第五开关晶体管和第六开关晶体管;其中,
所述第五开关晶体管,其栅极与所述第六开关晶体管的栅极相连,为所述发光控制模块的控制端,第一电极为所述发光控制模块的第一输入端,第二电极为所述发光控制模块的第一输出端;
所述第六开关晶体管,其第一电极为所述发光控制模块的第二输入端,第二电极为所述发光控制模块的第二输出端。
8.如权利要求1所述的像素电路,其特征在于,还包括:第二复位模块;其中,
所述第二复位模块的控制端与输入端均与第二复位控制信号端相连,输出端与所述发光器件的第一端相连;
所述第二复位模块用于在所述第二复位控制信号端的控制下,对所述发光器件的第一端的电位进行复位。
9.如权利要求8所述的像素电路,其特征在于,所述第二复位模块,具体包括:第七开关晶体管;其中,
所述第七开关晶体管,其栅极为所述第二复位模块的控制端,第一电极为所述第二复位模块的输入端,第二电极为所述第二复位模块的输出端。
10.如权利要求2-9任一项所述的像素电路,其特征在于,所述驱动晶体管为P型晶体管;所有开关晶体管均为P型晶体管或均为N型晶体管。
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