[发明专利]一种硅片的制绒方法在审
| 申请号： | 201510571969.9 | 申请日： | 2015-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN105047767A | 公开（公告）日： | 2015-11-11 |
| 发明（设计）人： | 刘长明;金井升;蒋方丹;金浩 | 申请（专利权）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;C30B33/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵青朵 |
| 地址： | 314416 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 方法 | ||
1.一种硅片的制绒方法，其特征在于，包括以下步骤：
A)将金刚线切割的硅片用腐蚀溶液进行刻蚀；
B)将刻蚀后的硅片放置在电解液中通电，进行处理；
C)将处理后的硅片用碱性溶液进行碱性刻蚀。
2.根据权利要求1所述的制绒方法，其特征在于，还包括：
D)将碱性刻蚀后的硅片用酸性溶液进行清洗。
3.根据权利要求2所述的制绒方法，其特征在于，所述酸性溶液为氢氟酸与盐酸的混合溶液；所述酸性溶液中氢氟酸的浓度为10～30mol/L；所述酸性溶液中盐酸的浓度为0.5～12mol/L。
4.根据权利要求2所述的制绒方法，其特征在于，所述清洗的时间为1～20min；清洗的温度为20℃～60℃。
5.根据权利要求1所述的制绒方法，其特征在于，所述刻蚀的时间为1～20min；所述刻蚀的温度为6℃～12℃。
6.根据权利要求1所述的制绒方法，其特征在于，所述通电的电流密度为1～10mA/cm2；所述通电的时间为5～60min。
7.根据权利要求1所述的制绒方法，其特征在于，所述电解液为氢氟酸与醇溶剂的水溶液。
8.根据权利要求7所述的制绒方法，其特征在于，所述电解液中氢氟酸的浓度为1～30mol/L；所述电解液中醇类溶剂的浓度为0.1～16mol/L。
9.根据权利要求1所述的制绒方法，其特征在于，所述碱性溶液为碱金属氢氧化物的水溶液；所述碱金属氢氧化物的浓度为0.005～0.05mol/L。
10.根据权利要求1所述的制绒方法，其特征在于，所述碱性刻蚀的时间为1～5min；碱性刻蚀的温度为20℃～40℃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
