[发明专利]一种多孔碳化硅陶瓷的制备方法

权利要求书

1.一种多孔碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于步骤如下：

步骤1、制备多孔SiC坯体：将SiC颗粒、粘结剂聚乙烯醇缩丁醛PVB和乙醇混合，使粘结剂聚乙烯醇缩丁醛PVB包裹在SiC颗粒表面得到粘稠状的混合物；将粘稠状的混合物制成设计指定的形状部件，然后烘干得到多孔SiC坯体；所述SiC∶PVB∶乙醇的质量比例为10～20∶1～5∶1～5；

步骤2：将多孔SiC坯体放入化学气相渗透炉CVI炉进行化学气相渗透，在CVI过程中，生成的SiC陶瓷相起到粘结SiC颗粒和填充孔隙的作用，进而使坯体强度增强，得到指定形状的多孔SiC陶瓷部件。

2.根据权利要求1所述多孔碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于：所述SiC颗粒的粒径分布在50μm-500μm之间。

3.根据权利要求1所述多孔碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于：所述设计指定的形状部件为板件、管件或者其他结构构件。

4.根据权利要求1或3所述多孔碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于：所述制成设计指定的形状部件的成型方式是注浆成型、挤出成型、热压成型、冷等静压成型或离心沉淀成型。

5.根据权利要求1所述多孔碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于：所述形状部件的烘干温度范围是50～200℃。

6.根据权利要求1所述多孔碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于：所述步骤2的CVI炉进行化学气相渗透的工艺条件为：以MTS即CH₃SiCl₃作为先驱体，氢气作为载气和稀释气体，氩气作为保护气体；总气压为0.5～5kPa，沉积温度为900-1200℃，沉积时间为10～200h；所述MTS∶H₂∶Ar的比例为1∶5～20∶3～15。

7.根据权利要求1所述多孔碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于：当SiC颗粒为100μm粒径和500μm粒径两种时，重量比为100μm粒径∶500μm粒径＝1∶2。

8.根据权利要求1所述多孔碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于：当SiC颗粒为50μm粒径、100μm粒径和300μm粒径三种时，重量比为50μm粒径∶100μm粒径∶300μm粒径＝1∶2∶3。