[发明专利]成像靶优化方法及成像系统有效
| 申请号： | 201510570857.1 | 申请日： | 2015-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN105148412B | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 韩卫;刘艳芳;李贵;J·S·墨子 | 申请（专利权）人： | 上海联影医疗科技有限公司 |
| 主分类号： | A61N5/06 | 分类号： | A61N5/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201807 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 成像 优化 方法 系统 | ||
1.一种成像靶优化方法，其特征在于，包括：确定成像所需光子能谱范围；
根据所述成像所需光子能谱范围中的光子能谱所占比确定成像靶材料和成像靶的厚度，其中，所述成像靶用于以兆伏级别的电子束产生用于成像的低能量光子射线，所述低能量光子射线的光子能谱中50-200keV范围内光子能谱占比大于等于50％。
2.根据权利要求1所述的成像靶优化方法，其特征在于，还包括，根据所述成像所需光子能谱范围中的光子能谱所占比确定过滤部材料及过滤部的厚度。
3.根据权利要求2所述的成像靶优化方法，其特征在于，所述过滤部至少由两种过滤材料形成，并至少进行两重过滤。
4.根据权利要求1所述的成像靶优化方法，其特征在于，所述成像所需光子能谱范围以软组织成像分辨率确定。
5.根据权利要求1至4任一项所述的成像靶优化方法，其特征在于，所述成像所需光子能谱范围为50～200keV.
6.根据权利要求1所述的成像靶优化方法，其特征在于，所述成像所需光子能谱范围中的光子能谱所占比是通过以下公式计算得出：
其中，下标A表示射野面积，下标Z表示发射源到测量面的距离，El表示成像所需光子能谱范围为最小能量；Eh表示成像所需光子能谱范围为最大能量。
7.根据权利要求1所述的成像靶优化方法，其特征在于，所述成像所需光子能谱范围中的光子能谱所占比是根据蒙特卡罗模拟方法获得的能谱中计算得出。
8.一种成像靶优化方法，其特征在于，包括：获得低能成像光子能谱，通过改变成像靶的材料和/或厚度调节兆伏级电子生成的光子能谱使其与所述低能成像光子能谱相接近，其中，调节后的兆伏级电子生成的光子能谱中50-200keV范围内光子能谱占比大于等于50％。
9.根据权利要求8所述的成像靶优化方法，其特征在于，还包括，通过改变过滤器的材料和/或厚度调节兆伏级电子生成的光子能谱使其与所述低能成像光子能谱相接近。
10.根据权利要求8所述的成像靶优化方法，其特征在于，所述兆伏级电子生成的光子能谱是指成像探测器所接收到的光子能谱。
11.根据权利要求10所述的成像靶优化方法，其特征在于，所述成像探测器为兆伏级成像探测器。
12.一种成像靶优化方法，其特征在于，包括：获得低能成像光子能谱，通过改变过滤器的材料和/或厚度调节兆伏级电子生成的光子能谱使其与所述低能成像光子能谱相接近，其中，调节后的兆伏级电子生成的光子能谱中50-200keV范围内光子能谱占比大于等于50％。
13.一种成像系统，包括：加速器，用于产生高速电子；成像靶，受到高速电子的撞击后生成用于成像的射线；探测器，探测穿过病人的成像射线，其特征在于，所述成像靶还用于，将高速电子转化为低能成像射线，所述成像靶通过权利要求1、4、7、8、10、11任一项所述的成像靶优化方法优化确定。
14.根据权利要求13所述的成像系统，其特征在于，还包括：过滤器，位于所述成像靶后端，过滤所述成像靶生成的低能成像射线。
15.根据权利要求14所述的成像系统，其特征在于，所述过滤器还用于过滤加速器生成的多余电子。
16.根据权利要求14或15所述的成像系统，其特征在于，所述过滤器为至少两种材质构成的多重过滤器。
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