[发明专利]蒸镀掩膜板及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种蒸镀掩膜板及其制作方法。

背景技术

有机电致发光二极管(Organic Light-Emitting Diodes，简称OLED)是自发光器件，不需要背光源，外观轻、薄，而传统的液晶显示器(LCD)需要背光源才能工作，外观尺寸较厚。有机发光二极管显示器的功耗低，视角宽，屏幕响应快，是最能符合人们未来对显示器功能要求的技术。因此，有机发光二极管有望在不久的将来取代液晶显示器，具有很高的市场潜力。

有机小分子发光二极管在制作过程中，目前较成熟的技术是采用真空蒸镀技术，在器件制备过程中，有机材料会淀积在位于蒸发源上方的基板上，为形成特有的图案，在基板下方紧贴有掩膜版，掩膜版上留有预先设计排版好的开口，最终有机材料会通过掩膜板上的开口区域，淀积到基板上面。

高PPI产品的制作是市场发展的方向，在蒸镀段，高PPI产品往往受限于掩膜板及蒸镀的工艺，特别是掩膜板的开口极限及厚度限制，以及蒸镀段阴影效应，这些因素共同导致蒸镀段产品随着PPI增高而开口率却越来越小，并且像素密度越高，混色风险也越来越大。

在蒸镀段之前，由于来料玻璃基板制已经作有Spacer(垫块)凸起的支撑，其主要作用为支撑封装的玻璃盖板，而在蒸镀段，由于掩膜板与玻璃基板之间存在间隙，该间隙容易引起相邻像素混色，影响蒸镀品质。

发明内容

基于此，针对上述问题，有必要提供一种掩膜板及其制作方法，减小混色风险，提高蒸镀品质。

一种蒸镀掩膜板，用于显示面板上像素区域的蒸镀，所述显示面板包括基板，设置于所述基板上的像素限定层，及设置于所述像素限定层上的垫块，所述像素限定层将所述基板划分成若干个子像素区域，所述蒸镀掩膜板包括掩膜板本体及形成在所述掩膜板本体上的蒸镀孔，所述蒸镀孔贯穿所述掩膜板本体，所述掩膜板本体包括减薄区及围绕所述减薄区设置的有效区，所述减薄区位于所述掩膜板本体对应所述显示面板上所述垫块的位置，所述减薄区的厚度小于所述有效区的厚度。

在其中一个实施例中，所述减薄区的大小与所述垫块匹配。

在其中一个实施例中，所述减薄区的厚度与所述有效区的厚度之差为3～8毫米。

在其中一个实施例中，所述减薄区围绕所述蒸镀孔连续设置。

在其中一个实施例中，所述子像素区域包括蒸镀子像素区域及非蒸镀子像素区域，所述有效区位于所述掩膜板本体对应所述显示面板上的所述非蒸镀像素区域。

在其中一个实施例中，所述有效区的厚度为25～35微米。

在其中一个实施例中，所述蒸镀孔呈阵列式分布。

一种采用上述的蒸镀掩膜板的蒸镀方法，包括如下步骤：

将所述蒸镀掩膜板与所述基板设置有所述像素限定层的一侧贴合，使所述蒸镀孔位于所述基板上蒸镀的子像素区域，所述垫块容置于所述减薄区与所述有效区围成的容置空间内，所述掩膜板本体中所述有效区与所述显示面板中对应的所述像素限定层抵接。

一种如上述蒸镀掩膜板的制作方法，包括如下步骤：

通过第一次构图工艺，在金属基板的第一表面形成减薄区；同时，

通过第二次构图工艺，在所述金属基板与所述第一表面相对设置的第二表面上形成贯穿所述金属基板的蒸镀孔，得到蒸镀掩膜板。

在其中一个实施例中，所述第一次构图工艺具体包括如下步骤：

在金属基板的第一表面形成光刻胶层，通过曝光、显影，在所述光刻胶层上形成图形化的开口，以裸露出部分所述金属基板；

对所述金属基板的所述第一表面对应所述开口的位置进行刻蚀，以使所述金属基板的所述第一表面形成所述减薄区。

上述蒸镀掩膜板，由于掩膜板本体中对应基板的非蒸镀子像素区域的位置将非蒸镀的子像素区域，消除了蒸镀掩膜板与基板之间的间隙，提高了贴合的紧密程度，减少了混色风险，提高了蒸镀品质；而且，还可以减小蒸镀掩膜板与蒸镀像素区域之间的距离，减少了蒸镀的阴影效应影响范围，提高了子像素的有效蒸镀面积，有效提高了开口率；此外，由于蒸镀掩膜板与显示面板可形成相互嵌合的图案，显示面板中的垫块可对蒸镀掩膜板的位置进行约束，避免了蒸镀温度升高导致蒸镀掩膜板与基板之间产生的热变形错位。

附图说明

图1为本发明一实施例中蒸镀时掩膜板与玻璃基板的贴合结构示意图；

图2为本发明另一实施例中蒸镀掩膜板的结构示意图；

图3为本发明又一实施例中蒸镀掩膜板的结构示意图；