[发明专利]数据储存装置及其数据写入方法

说明书

本发明提供一种数据储存装置。数据储存装置包括一快闪存储器以及一控制器。快闪存储器具有多个实体页面。控制器用以接收将一第一数据写入多个特定逻辑地址的一写入命令，并且根据写入命令判断特定逻辑地址是否已被写入数据，其中当特定逻辑地址中的至少一第一逻辑地址已被写入数据时，对先前被写入第一逻辑地址的数据的至少一第一实体页面进行复写，并且在结束对第一实体页面复写后，根据写入命令自快闪存储器中选取多个第二实体页面，以将第一数据写入第二实体页面并且将第一逻辑地址映射至第二实体页面。

技术领域

本发明有关于一种数据储存装置的数据写入方法；特别有关于一种判断特定逻辑地址是否已被写入数据的数据写入方法。

背景技术

快闪存储器为一种普遍的非挥发性数据储存媒体，以电性方式抹除与程序化。以与非门型的快闪存储器(即NAND FLASH)为例，常用作记忆卡(memory card)、通用串行总线闪存装置(USB flash device)、固态硬碟(SSD)、嵌入式快闪存储器模块(eMMC)…等的储存媒体。

现在的电子装置多使用快闪存储器(如，NAND FLASH)储存数据。在已知的技术中，虽然使用者已将数据删除，但在快闪存储器中旧数据仍然存在，尚未立即抹除，有心者仍可透过特殊方式取出快闪存储器中的数据。因此，如何有效并且安全地将数据删除则成为了一个重要的课题。

发明内容

本发明所提供的数据储存装置以及数据写入方法可以在将数据写入特定逻辑地址前，复写特定逻辑地址先前被写入数据的实体页面。

本发明提供一种数据储存装置。数据储存装置包括一快闪存储器以及一控制器。快闪存储器具有多个实体页面。控制器用以接收将一第一数据写入多个特定逻辑地址的一写入命令，并且根据写入命令判断特定逻辑地址是否已被写入数据，其中当特定逻辑地址中的至少一第一逻辑地址已被写入数据时，对先前被写入第一逻辑地址的数据的至少一第一实体页面进行复写，并且在结束对第一实体页面复写后，根据写入命令自快闪存储器中选取多个第二实体页面，以将第一数据写入第二实体页面并且将第一逻辑地址映射至第二实体页面。

在一实施例中，控制器更用以产生具有一第一格式的至少一第一子写入命令，以致使快闪存储器根据第一子写入命令，对第一实体页面进行复写，并且控制器亦用以产生具有一第二格式的多个第二子写入命令，以致使快闪存储器根据第二子写入命令，将第一数据段写入第二实体页面，其中第一格式不等同于第二格式。第一格式包括一特殊模式切换指令、一写入指令、一字元线地址以及一数据段，并且第二格式包括一写入指令、一实体页面地址以及一数据段。

在另一实施例中，控制器还用以以一第一写入模式对第一实体页面进行复写，并且以一第二写入模式，将第一数据段写入第二实体页面，其中第一写入模式不等同于第二写入模式。值得注意的是，快闪存储器系操作于多阶储存单元，第一写入模式系为一单阶储存单元写入模式，并且第二写入模式为一多阶储存单元写入模式。

另外，当特定逻辑地址未被写入数据时，控制器根据写入命令自快闪存储器中选取多个第三实体页面，以将第一数据写入第三实体页面并且将第一逻辑地址映射至第三实体页面。控制器根据一实体逻辑映射表判断特定逻辑地址是否已被写入数据，在实体逻辑映射表中记录特定逻辑地址以及第二实体页面的相应关系以将第一逻辑地址映射至第二实体页面，并且在实体逻辑映射表中记录特定逻辑地址以及第三实体页面的相应关系以将第一逻辑地址映射至第三实体页面。

本发明亦提供一种数据写入方法，适用于一数据储存装置，其中数据储存装置包括一快闪存储器，快闪存储器具有多个实体页面。数据写入方法包括：接收将一第一数据写入多个特定逻辑地址的一写入命令；根据写入命令判断特定逻辑地址是否已被写入数据；当特定逻辑地址中的至少一第一逻辑地址已被写入数据时，对先前被写入第一逻辑地址的数据的至少一第一实体页面进行复写；以及在结束对第一实体页面复写后，根据写入命令自快闪存储器中选取多个第二实体页面，以将第一数据写入第二实体页面并且将第一逻辑地址映射至第二实体页面。