[发明专利]一种红外焦平面阵列的带隙基准电路

权利要求书

1.一种红外焦平面阵列的带隙基准电路，其特征在于，包括：

运算放大器电路（10），所述运算放大器电路（10）包括正相输入端（inp）、反相输入端（inn）和输出端（op_out），并且所述运算放大器电路（10）使所述正相输入端（inp）的电压和所述反相输入端（inn）的电压相等；

共漏极放大器电路（20），所述共漏极放大器电路（20）的输入端连接到所述运算放大器电路（10）的输出端（op_out）；

零温漂电压产生电路（30），所述零温漂电压产生电路（30）的第一连接端连接到所述运算放大器电路（10）的正相输入端（inp），所述零温漂电压产生电路（30）的第二连接端连接到所述运算放大器电路（10）的反相输入端（inn），用于产生正温系数电流并利用所述正温系数电路产生基准带隙零温漂电压；

其中，共漏极放大器电路（20）的输出端连接到所述零温漂电压产生电路（30）的基准带隙零温漂电压输出端（OUT），用于为所述运算放大器电路（10）提供从输出到输入的反馈环路，并实现所述运算放大器电路（10）的输出电压与所述基准带隙零温漂电压的线性跟随关系。

2.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述共漏极放大器电路（20）包括第一场效应管（PM1）、第二场效应管（NM1）和第一电阻（R1），其中：

所述第一场效应管（PM1）的源极连接到电源，第一场效应管（PM1）的栅极连接到控制控制信号输入端（SW），所述第一场效应管（PM1）的漏极连接到所述第二场效应管（NM1）的漏极；

所述第二场效应管（NM1）的栅极连接到所述运算放大器电路（10）的输出端，所述第二场效应管（NM1）的源极连接到所述零温漂电压产生电路（30）的基准带隙零温漂电压输出端（OUT）并通过所述第一电阻（R1）接地。

3.如权利要求1或者2所述的电路，其特征在于，所述零温漂电压产生电路（30）包括第一晶体管（Q1）、第二晶体管（Q2）、第二电阻（R2）、第三电阻（R3）、第四电阻（R4）和第六电阻（R_trim），其中：

所述第一晶体管（Q1）的发射极连接到所述第二晶体管（Q2）的发射极并通过所述第四电阻（R4）接地；

所述第一晶体管（Q1）的集电极连接到所述零温漂电压产生电路（30）的第二连接端并连接到所述第二电阻（R2）的一端，所述第二电阻（R2）的另一端连接到所述第一晶体管（Q1）的基极并且连接到所述第六电阻（R_trim）的一端；

所述第二晶体管（Q2）的基极连接到所述零温漂电压产生电路（30）的第二连接端，所述第二晶体管（Q2）的集电极连接到所述零温漂电压产生电路（30）的第一连接端并连接到所述第三电阻（R3）的一端；

所述第三电阻（R3）的另一端连接到所述第六电阻（R_trim）的所述一端；

所述第六电阻（R_trim）的另一端连接到所述基准带隙零温漂电压输出端（OUT）。

4.如权利要求1至3中任意一项所述的电路，其特征在于，所述运算放大器电路（10）包括第三场效应管（PM3）、第四场效应管（PM4）、第三晶体管（Q3）、第四晶体管（Q4）和第五电阻（R5），其中：

所述第三晶体管（Q3）的发射极接地，所述第三晶体管（Q3）的基极连接到所述运算放大器电路（10）的同相输入端（inp），所述第三晶体管（Q3）的集电极连接到所述第三场效应管（PM3）的漏极和栅极；

所述第三场效应管（PM3）的栅极连接到所述第四场效应管（PM4）的栅极，所述第三场效应管（PM3）的源极通过所述第五电阻（R5）连接到系统电源（VDD）；

所述第四晶体管（Q4）的发射极接地，所述第四晶体管（Q4）的基极连接到所述运算放大器电路（10）的反相输入端（inn），所述第四晶体管（Q4）的集电极连接到所述运算放大器电路（10）的输出端（op_out）并且连接到所述第四场效应管（PM4）的漏极；

所述第四场效应管（PM4）的源极通过所述第五电阻（R5）连接到系统电源（VDD）。