[发明专利]一种数模转换器

权利要求书

1.一种数模转换器，其特征在于，包括：

基准电压给定装置，用于为位权网络提供基准电压；

所述位权网络通过N个模拟开关管与运算放大器连接，用于依据所述基准电压在所述位权网络的N条支路上分别生成权电流，其中，所述N为正整数；

所述N个模拟开关管，用于依据N路数字信号分别控制所述N条支路与运算放大器之间的导通或者关断，其中，每个所述模拟开关管均包括用于吸收所述模拟开关管在开关转换时释放的寄生电荷的电荷吸收模块；

所述运算放大器，用于对接入所述运算放大器的所述N条支路中的支路的权电流进行求和以及放大处理，再转换为模拟电流或者模拟电压并输出；

其中，所述电荷吸收模块包括第一电荷吸收单元和第二电荷吸收单元；

所述模拟开关管均还包括第一反相器、第二反相器、第一开关电路以及第二开关电路，其中，所述第一电荷吸收单元位于所述第一开关电路中，所述第二电荷吸收单元位于所述第二开关电路中；

所述第一反相器的输入端输入所述数字信号，所述第一反相器的输出端与所述第二反相器的输入端连接；

所述第一开关电路还包括第一NMOS管以及第二NMOS管；其中，所述第一NMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极均与所述第二反相器的输出端连接，所述第一NMOS管的漏极与所述位权网络的支路输出端连接，所述第一NMOS管的源极与所述第二NMOS管的漏极连接，所述第二NMOS管的源极与所述运算放大器的反相输入端连接，所述第一NMOS管的源极与所述第二NMOS管的漏极的公共端与所述第一电荷吸收单元的一端连接，所述第一电荷吸收单元的另一端与所述第二反相器的输入端连接；

所述第二开关电路还包括第三NMOS管以及第四NMOS管；其中，所述第三NMOS管的栅极和所述第四NMOS管的栅极均与所述第二反相器的输入端连接，所述第三NMOS管的漏极与所述位权网络的支路输出端连接，所述第三NMOS管的源极与所述第四NMOS管的漏极连接，所述第四NMOS管的源极与所述运算放大器的正相输入端连接，其中，所述运算放大器的正相输入端接地，所述第三NMOS管的源极与所述第四NMOS管的漏极的公共端与所述第二电荷吸收单元的一端连接，所述第二电荷吸收单元的另一端与所述第二反相器的输出端连接。

2.如权利要求1所述的数模转换器，其特征在于，所述第一电荷吸收单元为第五NMOS管，所述第五NMOS管的源极与漏极均与所述第一NMOS管的源极以及所述第二NMOS管的漏极的公共端连接，所述第五NMOS管的栅极与所述第二反相器的输入端连接。

3.如权利要求2所述的数模转换器，其特征在于，所述第二电荷吸收单元为第六NMOS管，所述第六NMOS管的源极与漏极均与所述第三NMOS管的源极以及所述第四NMOS管的漏极的公共端连接，所述第六NMOS管的栅极与所述第二反相器的输出端连接。

4.如权利要求1所述的数模转换器，其特征在于，所述第一反相器包括第一PMOS管、第二PMOS管以及第七NMOS管；

其中，所述第一PMOS管的源极以及所述第二PMOS管的源极均与反相器电源连接，所述第一PMOS管的漏极与所述第二PMOS管的漏极连接，其公共端与所述第七NMOS管的漏极连接，共同作为所述第一反相器的输出端，所述第七NMOS管的源极接地，所述第一PMOS管的栅极与所述第七NMOS管的栅极连接，其公共端作为所述第一反相器的输入端，所述第二PMOS管的栅极与所述第二反相器的输出端连接。

5.如权利要求4所述的数模转换器，其特征在于，所述第二反相器包括第三PMOS管、第四PMOS管以及第八NMOS管；

其中，所述第三PMOS管的源极以及所述第四PMOS管的源极均与所述反相器电源连接，所述第三PMOS管的漏极与所述第四PMOS管的漏极连接，其公共端与所述第八NMOS管的漏极连接，共同作为所述第一反相器的输出端，所述第八NMOS管的源极接地，所述第三PMOS管的栅极与所述第八NMOS管的栅极连接，其公共端作为所述第二反相器的输入端，所述第四PMOS管的栅极与所述第二反相器的输入端连接。

6.如权利要求1-5任一项所述的数模转换器，其特征在于，所述位权网络为R-2R倒T型电阻网络。