[发明专利]量子点发光二极管器件及具有其的显示设备

权利要求书

1.一种量子点发光二极管器件，包括：

形成在基板上的阴极，其中所述阴极与所述基板上的薄膜晶体管相连；

在所述阴极上的电子传输层，其中所述电子传输层具有可交联的结构；

形成在所述电子传输层上的量子点发光层，其中所述量子点发光层是通过溶液工艺形成；

在所述量子点发光层上的空穴传输层；和

形成在所述空穴传输层上的阳极，

其中所述量子点发光层包括R量子点、G量子点和B量子点。

2.根据权利要求1所述的器件，其中所述量子点发光层包括2族-6族配对或3族-5族配对的纳米半导体化合物。

3.根据权利要求2所述的器件，其中所述纳米半导体化合物选自CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnTe、ZnS、HgTe、InAs、InP和GaAs中的任意一种。

4.根据权利要求1所述的器件，其中所述空穴传输层由选自CBP、α-NPD、TCTA和DNTPD中的任意一种形成。

5.根据权利要求1所述的器件，其中所述空穴传输层由NiO或MoO₃形成。

6.根据权利要求2所述的器件，其中所述电子传输层还包括选自ZnO、TiO₂、WO₃和SnO₂中的任意一种。

7.根据权利要求2所述的器件，其中所述电子传输层还包括TPBI或TAZ。

8.根据权利要求1所述的器件，其中所述R量子点、G量子点和B量子点中的每一个具有1纳米～100纳米的直径。

9.根据权利要求4所述的器件，其中在所述空穴传输层和所述阳极之间进一步包括空穴注入层，所述空穴注入层是MoO₃。

10.根据权利要求1所述的器件，其中所述空穴传输层的HOMO大于所述量子点发光层中的全部R量子点、G量子点和B量子点的HOMO。

11.根据权利要求10所述的器件，其中带隙能量的差值按照B、G和R的顺序变小。

12.一种显示设备，包括：

形成在基板上的透明阴极；

在所述透明阴极上的电子传输层，其中所述电子传输层具有可交联的结构；

在所述电子传输层上形成的、包括量子点的量子点发光层，其中所述量子点发光层是通过溶液工艺形成；

在所述量子点发光层上的空穴传输层；

形成在所述空穴传输层上的阳极；以及

与所述阴极连接的薄膜晶体管，

其中所述量子点发光层包括R量子点、G量子点和B量子点。

13.一种显示设备，包括：

形成在基板上的阴极；

在所述阴极上的电子传输层，其中所述电子传输层具有可交联的结构；

在所述电子传输层上形成的、包括量子点的量子点发光层，其中所述量子点发光层是通过溶液工艺形成；

在所述量子点发光层上的空穴传输层；

形成在所述空穴传输层上的透明阳极；以及

与所述阴极连接的薄膜晶体管，

其中所述量子点发光层包括R量子点、G量子点和B量子点。

14.一种显示设备，包括：

形成在第一基板上的阴极；

在所述阴极上的电子传输层，其中所述电子传输层具有可交联的结构；

在所述电子传输层上形成的、包括量子点的量子点发光层，其中所述量子点发光层是通过溶液工艺形成；

在所述量子点发光层上的空穴传输层；

形成在所述空穴传输层上的透明阳极；

形成在所述第一基板上的、与所述阴极连接的薄膜晶体管；以及

与所述第一基板相对的第二基板，所述第二基板具有滤色器层，

其中所述量子点发光层包括R量子点、G量子点和B量子点。

15.一种制造显示设备的方法，包括下述步骤：

在基板上形成薄膜晶体管；

在所述基板上形成阴极，其中所述阴极与所述薄膜晶体管相连；

通过溶液工艺在所述阴极上形成电子传输层，其中所述电子传输层具有可交联的结构，并且其中所述电子传输层是在用于该溶液工艺的溶剂挥发后被固化；

通过溶液工艺在所述电子传输层上形成填充有多个量子点的量子点发光层；

在所述量子点发光层上形成空穴传输层；以及

在所述空穴传输层上形成阳极，

其中所述量子点发光层包括R量子点、G量子点和B量子点。